인피니언, 전력반도체 수명 11배↑ 기술 개발

인피니언이 전력 반도체의 수명을 최대 11배까지 늘려주는 기술을 개발했다.

인피니언테크놀로지스코리아는 절연게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 고전력 모듈(IHM)의 구조를 견고하게 만들고 열전도율을 높여 평균 수명이 11배까지 증가할 수 있는 기술 개발에 성공했다고 27일 밝혔다.

새로운 기술은 기존 대비 견고한 본드와이어를 이용해 모듈 부품의 스위칭과 관련된 전력 사이클에 대한 탄력을 증가시켜 전력 사이클링을 2배 이상 향상시켰다.

또 알루미늄 실리콘카바이드(AlSiC) 기판과 질화 알루미늄(AIN) 서브스트레이트 결합으로 열전도성을 높여 열 저항을 환경에 따라 16~18% 가량 줄였다. 특히 모듈의 동작 중 발생하는 열을 더 효과적으로 방출해 칩이나 본드와이어 등 열에 민감한 부품의 부담을 줄여준다.

이 기술 개발을 위해 인피니언은 지난 2012년 말부터 풍력 발전기와 같은 까다로운 애플리케이션에서 실질적인 테스트를 진행해 성능을 검증했다고 설명했다.

인피니언은 이에 따라 고객사가 작업 단계를 줄이고 더 적은 비용으로 개발할 수 있게 되고 견고성과 신뢰성도 높아진다고 밝혔다. 또 높은 제품 신뢰성과 가격 안정성으로 교통, 산업용 드라이브와 재생 에너지 같은 성장 시장에서 특화된 이점을 제공한다고 덧붙였다.