삼성전자가 이달부터 세계최초로 대용량 스토리지용 20나노급 64Gb(기가비트) 3비트 낸드플래시의 양산에 들어갔다고 13일 발표했다.
이번 성과는 지난 해 11월 세계 최초의 30나노급 32Gb 3비트 낸드플래시를 양산한 지 11개월 만이다.
삼성전자에 따르면 20나노급 64Gb 3비트 낸드플래시는 30나노급 32Gb 3비트 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높다. '토글DDR(Double Data Rate) 1.0' 방식을 적용했다.
이 제품은 하나의 칩으로 8GB(기가바이트)의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현할 수 있다. 삼성전자는 이 제품이 기존 32Gb 3비트 낸드플래시 시장을 대체하며 대용량 메모리 시장 확대에 기여할 것으로 기대했다.
관련기사
- 하이닉스반도체, 낸드플래시 사업역량 강화2010.10.13
- 삼성전자, 차세대 고속 낸드플래시 기술 개발2010.10.13
- 낸드플래시 일시적 가격 하락…일부 제품 공급과잉2010.10.13
- 상반기 수출 3348억 달러, 역대 2위...반도체가 견인2024.07.01
김세진 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 상무는 20나노급 64Gb 3비트 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, SSD(Solid-State Drive)에 이어 USB 플래시 드라이브, SD카드 등 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다고 말했다.
삼성전자는 향후 낸드플래시 제품에 토글DDR을 적용해 대용량, 고성능 메모리시장 성장을 주도할 계획이다.
