삼성전자, 차세대 고속 낸드플래시 기술 개발

삼성전자가 기존 범용 낸드플래시보다 10배 빠른 차세대 고성능 모바일 기기, 메모리카드, SSD 등 제품에 탑재할 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발했다고 20일 밝혔다. 이 기술을 이용하면 400Mbp속도로 데이터 처리가 가능하다.

삼성전자는 이번 개발된 차세대 고속 낸드플래시 인터페이스 규격인 '토글 DDR2.0'이 시장 표준으로 자리 잡을 수 있도록 세계반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 등록을 추진하고 있다.

삼성전자는 지난해는 토글 DDR 1.0 방식 30나노급 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시를 세계 최초로 양산하기 시작했다. 토글 DDR 2.0 방식 차세대 고속 낸드플래시는 내년부터 양산할 예정이다.

삼성전자는 낸드플래시를 탑재하는 제품들의 발전에 따라 20나노급 이하 낸드플래시 전 제품에 토글 DDR 2.0 기술을 적용할 계획이다.

토글 DDR 2.0 방식 차세대 고속 낸드플래시는 기존 SDR 방식 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도 40Mbps에 비해서는 10배, 133Mbps인 토글 DDR 1.0 방식 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠르다.

세대 고속 낸드플래시를 SATA2 SSD에 탑재할 경우, 현재보다 읽기, 쓰기 속도를 두 배로 높일 수 있다.

삼성전자는 지난 6월 JEDEC에 차세대 고속 낸드플래시 표준으로 토글 DDR 2.0'을 제안한 바 있다. 내년 초까지 등록을 완료할 계획이다. 삼성전자 뿐만 아니라 낸드플래시 시장 2위 업체인 일본 도시바도 토글 DDR 2.0의 표준화 작업에 참여키로 결정했다.

전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 "삼성전자는 지난해 11월 나노급 고속 낸드플래시를 최초로 양산하는 등 고성능 낸드플래시 시장 성장을 주도해왔다"며 "앞으로 고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰, 태블릿 PC, SSD 등 여러 제품에 탑재되는 등 수요가 크게 증가해 낸드플래시 시장을 성장을 이끌 것"이라고 말했다.