ST마이크로, 마스터GaN7 디바이스 신제품 출시

"고효율 통합 전력제품군 확장"

ST마이크로일렉트로닉스(ST마이크로)가 마스터(Master)GaN7 디바이스를 출시했다고 28일 밝혔다. 최대 정격전류 6A의 650V 인핸스먼트 모드 갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터를 탑재한 제품이다. 

마스터GaN7은 전원 어댑터, 충전기, 산업용 조명장비, 태양광 마이크로인버터 등에서 설계자가 효율과 전력밀도를 높이도록 지원한다. 기존 마스터GaN 디바이스와 핀 배열, 풋프린트가 같아 공유 가능한 QFN 패키지를 기반으로 고전압·고주파 게이트 드라이버를 통합하고, 650V GaN 트랜지스터 2개를 하프 브리지 구성으로 연결했다. 

ST마이크로가 새로운 마스터(Master)GaN7 디바이스를 출시했다고 28일 밝혔다. (사진=ST마이크로)

신제품은 최신 GaN 기술을 활용해 속도와 효율을 높였다. 최적 스위칭 성능을 위해 게이트 구동전압을 안정화하는 LDO(Low Drop-Out) 레귤레이터를 도입했다. 초고속 웨이크업 기능을 갖춘 핀 제어 셧다운 모드로 설계자가 무부하 전력소모를 최소화하도록 돕는다.

마스터GaN7 디바이스는 45ns 전파 지연시간과 초고속 웨이크업 시간, 짧은 최소 온타임을 갖춰 최대 2MHz 스위칭 주파수로 동작할 수 있다. ST마이크로는 "소형 외부 자기 소자와 수동회로 부품만으로 회로 설계를 완성할 수 있어 풋프린트를 최소화하고, 부품원가를 절감하며, 전력밀도를 극대화한다"며 "하이사이드 드라이버에 전원을 공급하는 부트스트랩 다이오드를 통합했다"고 설명했다. 

ST마이크로는 "마스터GaN 디바이스 시리즈는 액티브 클램프 플라이백과 비대칭 하프 브리지 컨버터, 인버스 벅 컨버터, 공진형 LLC 컨버터, 역률 보정(PFC) 컨버터, DC-AC 인버터 등 토폴로지를 지원한다"며 "교차 도통을 방지하는 인터로킹, 저전압 차단(UVLO), 과열 차단 등 보호 기능을 탑재했다"고 밝혔다.