삼성전자 "메모리 부족 2028년까지 지속…장기계약 70%까지 확대"

"하반기 HBM4 비중 60% 돌파 목표...파운드리 2나노 수주 2배 증가"

삼성전자가 생성형 인공지능(AI) 확산에 따른 메모리 반도체 공급 부족이 2028년까지 지속될 것으로 전망했다. 삼성전자는 장기공급계약(LTA) 비중을 대폭 늘려 사업 안정성을 확보하고, 파운드리와 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 등 선단 공정 중심의 실적 개선을 가속할 방침이다. 

삼성전자는 30일 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "에이전틱 AI 확산과 토큰 소비량 급증으로 메모리 공급 부족이 내년에 더욱 심화되고 2028년까지 지속될 것"이라고 밝혔다. 

삼성전자는 "업계 설비투자(CAPEX) 확대에도 불구하고 신규 팹 건설부터 웨이퍼 생산까지 3년 반이 넘는 긴 리드타임을 감안하면 증설을 통한 공급 확대는 한계가 있다"며 "올해 공급 부족으로 인한 미충족 수요가 내년으로 이연되면서 2027년에는 공급 부족이 올해보다 심화되고 2028년에도 부족 현상이 지속될 것으로 전망된다"고 말했다.

삼성전자 평택캠퍼스(사진=삼성전자)

2028년까지 공급부족 지속… 캐파 70% 장기계약으로 묶는다

삼성전자는 메모리 부문에서 LTA 체결을 적극 추진하고 있다. 이번 LTA는 5년 단위 롤링 계약 방식을 적용한다. 현재 AWS, 마이크로소프트(MS) 등으로 추정되는 글로벌 상위 5대 하이퍼스케일러 고객사와 계약을 체결했다. 롤링 계약은 기본 5년 계약에 매년 물량을 재협상하는 방식이다.

삼성전자 목표는 전체 생산능력(CAPA)의 60~70%를 장기계약 물량으로 운영하는 것이다. 이미 계약을 맺은 LTA 중 4분의 1 물량에 대해서는 선수금을 받아 계약이행 구속력을 높였다. 이번 계약 구조에는 메모리 가격 급락 시 실적 하락을 방어할 수 있는 가격 하한선 조건을 포함했다. D램에 이어 낸드플래시 분야에서도 LTA 체결이 본격 시작됐다. 

삼성전자는 "다년공급계약을 통해 중장기 수요 가시성을 확보했고 투자를 탄력적으로 진행할 수 있는 여건이 조성됐다"며 "과거 수급 사이클에 지나치게 영향을 받던 사업 구조를 보다 안정적이고 예측 가능한 방향으로 전환할 것"이라고 강조했다.

삼성전자 HBM4 (사진=삼성전자)

HBM4 하반기 매출 비중 60% 돌파

HBM 사업에서는 최신 규격 HBM4 성과가 가시화되고 있다. 삼성전자는 HBM4의 주요 고객 평가가 대부분 마무리 단계에 접어들었고, 하반기 고객사의 램프업(증산) 일정에 맞춰 공급을 확대할 계획이다. 

올해 3분기 HBM4 매출은 전 분기 대비 3배 이상 증가할 전망이다. 하반기 전체 HBM 매출에서 차지하는 비중도 60%를 넘어설 것으로 예상된다.

삼성전자는 "올해 하반기 중 전체 D램 시장 점유율과 동등한 수준의 HBM 시장 점유율을 확보하면서 균형 잡힌 D램 사업 포트폴리오를 실현할 수 있을 것으로 전망한다"고 설명했다.

선단 공정 가동률 '최대'… 2나노 수주 2배 확대

파운드리(반도체 위탁생산) 사업부는 8nm(나노미터, 10억분의 1m) 이하 선단 공정 가동률이 최대 수준에 도달하며 가파른 회복세를 보이고 있다. 특히 차세대 2나노 공정 수주 건수가 전년비 2배 확대됐다. 

현재 2나노 공정은 수율 안정화 작업이 진행 중이며, 주요 수주 고객은 대부분 AI 및 고성능컴퓨팅(HPC) 기업들이다. 최근에는 브로드컴 등 글로벌 대형 고객사들과 신규 프로젝트 논의에 착수했다. 

삼성전자는 "8나노 이하 선단 공정은 고성장 수요 강세 제품 중심 판매 극대화를 통해 가동률이 최대 수준에 도달했다"며 "가동률과 수율 개선, 가격 인상 효과가 복합적으로 작용하며 전년비 큰 폭의 수익성 개선과 함께 가까운 시일 내 흑자 전환이 가능할 것"이라고 기대했다. 

글로벌 생산 인프라 구축도 차질 없이 진행 중이다. 미국 테일러 팹1(Fab 1)은 계획대로 가동 준비를 진행하고 있다. 테일러 팹2(Fab 2)는 올해 말 착공 준비에 들어가 오는 2030년 양산이 목표다. 고객사의 1.4나노 공정 관련 수요 증가에 맞춰 추가 생산능력 확보 역시 검토하고 있다.