로옴, TSMC 라이선스로 GaN 전력반도체 공급 능력 강화

TSMC 프로세스 기술, 로옴 하마마츠 공장에 이관

반도체ㆍ디스플레이입력 :2026/02/26 09:18

로옴은 자사가 보유한 GaN 파워 디바이스의 개발 및 제조 기술과, 파트너십을 체결한 TSMC의 프로세스 기술을 융합해 그룹 내 일관 생산 체제 구축을 결정했다고 26일 밝혔다. 

TSMC의 GaN 기술 라이선스 공여를 통해, AI 서버 및 전기자동차 등의 분야에서 높아지는 GaN의 수요에 대응하여 자사의 공급력을 강화할 계획이다.

EcoGaN(사진=로옴)

GaN 파워 디바이스는 우수한 고전압·고주파 특성을 통해 어플리케이션의 고효율화 및 소형화에 기여해, AC 어댑터와 같은 민생기기 제품에서 사용되고 있다. 또한 AI 서버용 전원 유닛이나 전기자동차(EV)의 온보드 차저 등 고전압 분야에서도 채용이 가속화되어, 수요 확대가 기대되고 있다.

로옴은 GaN 파워 디바이스의 개발에 선제적으로 착수해, 2022년 3월에는 로옴 하마마츠에 150V GaN의 양산 체제를 확립했다. 미들파워 영역에서는 외부 파트너십을 추진하면서 공급 체제를 구축해 왔다. TSMC는 이러한 중요 파트너사 중 하나로서 2023년부터 650V GaN 프로세스를 채용했으며, 2024년 12월에는 차량용 GaN 관련 파트너십※1을 체결하여, 협력을 강화해 왔다.

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이번 기술 융합은 해당 파트너십을 진화시킨 것으로, 라이선스 계약을 체결해 TSMC의 프로세스 기술을 로옴 하마마츠 공장에 이관한다. 2027년 내의 생산 체제 구축을 목표로 하여, AI 서버 등에서 확대되는 수요에 대응할 계획이다.

로옴은 "기술 이관이 완료되면 차량용 GaN에 관한 파트너십은 발전적으로 종료되지만, 양사는 지속적으로 전원 시스템의 고효율 및 소형화를 위한 협력을 강화해 나갈 것"이라고 밝혔다.