로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'을 개발했다고 29일 밝혔다.
파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다.
기존에 로옴에서 제공해온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 'ROHM Level 1 (L1)'은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다.
새로운 모델 'ROHM Level 3 (L3)'은 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50％ 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다.
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'ROHM Level 3 (L3)'의 제4세대 SiC MOSFET 모델 (37기종)은 지난 4월부터 웹사이트 상에서 공개 중으로, 제품 페이지 등에서 다운로드 가능하다. 새로운 모델 L3 제공과 병행하여 기존 모델도 지속적으로 제공하고 있다. 또한 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 게재하여, 도입이 용이하도록 지원하고 있다.
로옴은 "앞으로도 시뮬레이션 기술의 향상을 통해 한층 더 고성능의 고효율 어플리케이션 설계를 지원해, 전력 변환 기술의 혁신에 기여해나갈 것"이라고 밝혔다.
