젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘GTC 2024’ 행사에 전시된 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리 12단 'HBM3E’에 친필 사인을 남겼다. 엔비디아 AI 반도체에 삼성전자의 HBM3E가 탑재될 가능성에 기대감이 커진다.
21일 한진만 삼성전자 반도체(DS)부문 미주총괄(DSA) 부사장은 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스에서 12단 HBM3E 실물에 남긴 친필 사인과 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다. 삼성전자는 12단 HBM3E 실물을 공개한 것은 이번 GTC 행사가 처음이다.
한 부사장은 "젠슨 황 CEO가 우리 부스에 들러줘서 고맙고, 만나지 못해 아쉽다"라며 "삼성 HBM3E에 승인 도장(stamp of approval)을 찍어줘 기쁘다. 삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 전했다.
특이 황 CEO의 삼성전자 부스 방문은 앞서 19일(현지시간) 엔비디아 GTC 2024 글로벌 미디어 행사에서 "우리는 지금 삼성전자의 HBM을 테스트(qualifying)하고 있으며, 기대가 크다"고 발언한 직후여서 업계의 관심이 쏠린다.
HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.
엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있기에, HBM 시장에서 핵심 고객사다.
SK하이닉스가 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한 데는 지난해 엔비디아에 HBM3을 독점 공급한 영향이 크다. 최근 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 삼성전자는 HBM3E 물량을 확보하기 위해 적극적으로 나서고 있다.
삼성전자의 12단 HBM3E는 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 샘플을 고객사(엔비디아 포함)에 공급했다고 공식 발표한 바 있다. 삼성전자는 이 제품을 상반기 양산할 예정이다.
HBM 시장 경쟁은 가열되고 있다. SK하이닉스는 GTC 2024 전시 부스에서 12단 HBM3E를 전시했으며, 행사 첫날인 지난 18일 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 공식적으로 알리며 시장 우위를 강조했다. 업계에 따르면 SK하이닉스 또한 최근 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급한 것으로 알려져 있다.
또 미국 마이크론도 지난달 HBM3E 양산을 시작했다고 밝히며 경쟁에 뛰어들었다. HBM 시장에서 후발주자인 미국 마이크론은 HBM3 양산을 건너뛰고 HBM3E 대량 생산체제를 갖추면서 삼성전자, SK하이닉스와 전면 경쟁에 돌입했다.
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경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날(20일) 삼성전자 정기 주주총회에서 HBM이 한발 늦었다는 지적에 대해 "앞으로 다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것"이라고 밝혔다.
한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난 13일 "삼성전자는 이미 HBM3에서 상당한 진전을 이뤘다"라며 "HBM3E 검증이 곧 완료될 것으로 예상되며, 연말까지 SK하이닉스와의 시장 점유율 격차를 크게 줄여 HBM 시장의 경쟁 구도를 재편할 태세다"고 진단했다.
