인피니언, 전력 밀도 높인 차세대 차량용 SiC MOSFET 출시

독일 차량용 부품사 '코스탈 오토모빌'에 공급

인피니언 테크놀로지스는 회사의 패키지 시리즈인 'TO263-7'을 적용한 최신형 차량용 1200V CoolSiC MOSFET을 출시한다고 26일 밝혔다.

새로운 1200V CoolSiC 제품은 1세대 제품 대비 25% 낮은 스위칭 손실을 구현한다. 이를 통해 고주파수 동작을 가능하게 해, 시스템 크기를 줄이고 전력 밀도를 높이는 데 도움을 준다.

인피니언의 신형 1200V CoolSiC MOSFET(사진=인피니언)

또한 단전원 구동이 가능해 시스템 비용과 복잡성을 줄일 수 있으며, 낮은 온 저항(RDS(on))으로 -55°C~175°C의 전체 온도 범위에서 도통 손실(기기에 전류가 흐를 때 저항 성분으로 인해 발생하는 손실)을 낮춘다.

향상된 확산(diffusion) 솔더링 칩 탑재 기술(.XT 기술)도 적용됐다. 이를 통해 SiC MOSFET 접합부의 온도를 1세대 대비 25%까지 낮출 수 있다. 또한 5.89mm의 연면 거리로 800V 시스템의 요구를 충족하고 코팅 작업을 줄이도록 한다.

이번 1200V CoolSiC MOSFET 제품은 현재 공급을 시작했다. 코스탈(KOSTAL) 오토모빌 일렉트릭은 자사의 차세대 OBC 플랫폼에 인피니언의 최신 CoolSiC MOSFET을 채택했다고 밝혔다. 코스탈 오토모빌 일렉트릭은 독일에 본사를 둔 차량용 부품업체다.