로옴(ROHM)은 650볼트(V) 내압의 실리콘카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드를 내장한 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 'RGWxx65C 시리즈(RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR)'를 개발했다고 8일 밝혔다.
이 제품은 전기자동차 등 전동화 차량용 충전기와 DC/DC 컨버터, 태양광 발전의 파워 컨디셔너 등 자동차 전장기기·산업기기용 제품이다.
신제품은 로옴의 저손실 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SiC SBD)를 채용한 하이브리드(Hybrid) 타입 IGBT다. 이전 IGBT와 비교해 작동 시 스위칭 손실을 대폭 삭감한 것이 특징이다.
이 제품을 차량용 충전기에 탑재할 경우, 이전 제품에 비해 67%의 저손실화를 구현한다.
로옴은 지난 3월부터 이 제품의 샘플 출하를 시작했다. 샘플 가격은 개당 1천200엔이다. 오는 12월부턴 월 2만개의 생산 체제로 양산을 개시한다.
관련기사
- 로옴, 듀얼 MOSFET 신제품 개발2021.07.01
- 로옴, SiC MOSFET 내장 AC/DC 컨버터 IC 개발2021.06.17
- 로옴, '車 안전기능' 지원 사이트 개설…1천여개 제품 정보 제공2021.06.08
- 로옴, 고전력·저저항 션트 저항기 'GMR320' 개발2021.04.15
로옴 관계자는 "구동 회로의 설계 방법을 게재한 어플리케이션 노트와 SPICE 모델 등 풍부한 설계 데이터를 공식 웹사이트를 통해 제공한다"며 "신속한 시장 도입을 지원할 것"이라고 했다.
이어 "앞으로도 폭넓은 요구에 대응하는 저손실 파워 디바이스를 개발하고, 설계 툴을 포함한 솔루션을 제공해 시스템 저전력화·소형화로 환경 부하 저감에 기여해 나갈 것"이라고 덧붙였다.
