삼성전자가 2비트(MLC) V낸드에 이어 3비트(TLC) V낸드도 세계 최초로 양산한다. 각 셀당 기록할 수 있는 데이터 수가 2개에서 3개로 늘어나 같은 면적 내에서 더 높은 용량을 제공할 수 있게 된다.
9일 삼성전자는 지난 5월 세계 최초로 양산한 2세대(32단) 제품에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트(Gb) V낸드플래시 양산을 시작했다고 밝혔다.
현재 업계에서 삼성전자만이 유일하게 양산하고 있는 V낸드 공정에 3비트 기술을 접목하며 플래시메모리 시장에서도 기술적 우위를 다시 한 번 입증했다.
3비트 V낸드는 삼성전자 독자 기술인 3차원 CTF(Charge Trap Flash)셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정을 그대로 유지하면서 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개(2비트 제품)에서 3개로 늘려 셀의 저장 용량을 1.5배 높였다.
이에 따라 기존 10나노급 평면구조 낸드 제품보다 생산성을 2배 이상 높일 수 있게 됐다.
삼성전자는 3비트 V낸드 양산 체제를 갖추며 지난해 8월 1세대(24단 적층), 지난 5월 2세대(32단 적층) 제품에 이어 2세대 기반 3비트 V낸드 양산 체제를 갖춰 경쟁사와의 격차를 더욱 벌릴 수 있을 것으로 예상된다.
관련기사
- 삼성 "평택 반도체공장 경제유발효과 41조원"2014.10.09
- 삼성, 3D V낸드 기반 3.2TB 카드타입 SSD 양산2014.10.09
- 2분기 낸드 시장, 한국만 웃었다2014.10.09
- 삼성전자, '3비트 V낸드' 최초 공개2014.10.09
삼성전자는 현재 낸드플래시 시장에서 1위를 기록하고 있으며 기존의 고신뢰성 서버용 SSD 제품에서 향후 보급형 PC용 SSD까지 SSD 라인업을 대폭 늘려 V낸드 세계 시장 공략을 확대할 계획이다.
한재수 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 3비트 V낸드는 HDD에서 SSD로의 시장 전환 추세를 더욱 가속화 할 것이라며 향후 3비트 V낸드 기반 고용량 SSD 출시를 통해 SSD 사업에서의 고성장세를 더욱 가속화 할 것이라고 말했다.
