삼성전자가 업계 최초로 트리플레벨셀(TLC·3비트) 기술을 3차원 수직구조 낸드플래시에 적용한 '32단 3비트 V낸드' 기술을 선보였다.
삼성전자는 5일(현지시간) 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시메모리 서밋 2014'에서 기존 평면구조 3비트 낸드플래시 제품보다 생산성이 2배 높은 3비트 V낸드 기술을 처음으로 공개했다.
트리플레벨셀로 불리는 3비트 낸드플래시는 데이터 저장공간 단위인 셀 하나에 3비트를 저장해 하나의 셀에 2비트를 저장하는 기존 멀티레벨셀(MLC) 방식 대비 집적도를 높여 생산성과 용량을 끌어올릴 수 있는 장점이 있다.
삼성전자가 선보인 3비트 V낸드는 기존 제품 대비 성능을 2배 가까이 향상시키는 동시에 전력소모량은 약 40%까지 절감할 수 있는 것으로 알려졌다. 지금까지 3비트 기술은 평면구조 낸드플래시 제품에만 적용됐으며 V낸드에 적용된 것은 이번이 처음이다.삼성전자는 지난해 세계 최초로 기존에 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓아 미세공정의 한계를 극복한 3차원 수직구조 낸드플래시 V낸드를 양산하고 있다. 이어 지난 5월에는 적층수를 32단으로 높인 2세대 V낸드 양산에 들어갔으며, 이번 32단 3비트 V낸드 개발로 낸드플래시 분야에서 다시 한 번 기술 격차를 벌리게 됐다.
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밥 브레넌 삼성전자 메모리솔루션랩 수석부사장은 이날 기조연설에서 신기술이 적용된 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품이 올 연말 시장에 출시될 것으로 전망했다.
업계에서는 지난달 삼성전자가 2세대 32단 V낸드가 적용된 소비자용 SSD 제품군인 '850 프로'를 내놓은 만큼 향후 출시되는 '850 에보(EVO)' 제품군에 32단 3비트 V낸드 기술을 적용할 것으로 내다보고 있다.