자동차에서 프로세서 역할을 하는 마이크로컨트롤러(MCU) 시장 1위 기업인 일본 르네사스가 차량에서 40nm의 회로선폭을 구현하는 임베디드 플래시메모리의 설계자산(IP)을 확보했다. 업계에 따르면 현재 자동차용 반도체에 사용되는 공정은 보통 90nm 내외의 회로선폭에서 구현된다.
르네사스는 최근 이 같은 내용을 발표하면서 내년 하반기 중에 이 기술이 적용된 자동차용 MCU 샘플 칩을 볼 수 있을 것이라고 밝혔다.
이 회사는 “40nm 플래시 메모리IP를 사용해 칩을 만들 경우 120MHz의 클록스피드를 내며 20년간 데이터를 보존할 수 있고, 170도의 정션온도에서도 견딜 수 있다”고 설명했다.
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르네사스는 지난 2007년 자동차용 MCU 부문에서 처음으로 90nm급 제품을 선보인 바 있다.
일반적으로 반도체 업계는 메모리분야에 최신 반도체 공정기술을 가장 먼저 적용하고 다음에 시스템 반도체, 그리고 안전성 확보가 요구되는 자동차 분야에서 가장 늦게 기술이 적용된다.
