삼성전자가 읽기 속도를 3배 이상 향상시킨 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시, 저장용량을 3배 늘린 32Gb 3비트 낸드플래시 양산에 들어갔다고 1일 발표했다.
32Gb 고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인 더블데이터레이트(DDR) 인터페이스를 낸드플래시에 적용한 비동기 DDR 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 제품이다.
삼성전자는 독자적인 저전력 비동기 DDR 인터페이스 기술을 적용해 소비 전력량을 증가시키지 않으면서도 기존 싱글데이터레이트(SDR) 제품 대비 읽기 속도를 약 3배 이상 빠르게 구현했다. 삼성전자는 이 제품을 프리미엄급 메모리카드 뿐 아니라 고성능 SSD 제품에도 적용할 계획이다.
이외에도 삼성전자는 업계 최초로 32Gb 3비트 MLC 낸드플래시를 양산했다. 3비트 낸드플래시는 하나의 셀에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해 같은 칩 면적에서 1비트 데이터를 저장하는 싱글 레벨 셀(SLC)에 비해 약 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있도록 했다.
삼성전자는 3비트 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재해 안정적인 카드 성능을 확보했다. 삼성전자는 3비트 낸드플래시 제품으로 대용량 메모리카드, 휴대폰용 메모리카드 시장에서 기존 MLC 낸드플래시 제품을 대체해 나갈 예정이다.
삼성전자는 지난 3월에는 30나노급 32Gb MLC 낸드플래시를 양산한 바 있다. 이어 8개월만에 동일 공정, 용량으로 고성능, 대용량, 저전력 솔루션인 고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시 제품을 양산함으로써 더욱 차별화된 32Gb 낸드플래시 전 제품군을 확보하게 됐다.
삼성전자는 고객 수요에 따라 차별화된 낸드플래시 솔루션을 제공할 수 있게 돼 프리미엄 시장에서 주도권을 강화할 것으로 기대하고 있다.
조수인 삼성전자 메모리사업부 부사장은 이번에 업계 최초로 30나노급 32Gb 제품으로 고속 낸드플래시, 3비트 낸드플래시로 업계 최고의 양산성을 확보했다며 다양한 고성능 모바일 기기의 출시를 적극 지원할 수 있게 됐다고 말했다.
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삼성전자는 향후 20나노급의 차세대 제품군에서도 고속 낸드플래시와 3비트 낸드플래시를 선행 개발해 고성능, 저전력, 대용량 제품을 안정적으로 공급할 계획이다.
시장 조사기관 가트너는 전 세계 낸드플래시 메모리 시장이 올해 138억달러에서 2012년 236억달러 규모로 크게 성장할 것으로 전망하고 있다.
