SK하이닉스가 차세대 AI 메모리로 주목받는 고대역폭플래시(HBF) 개발에 속도를 내고 있다. 지난해 7월 첫 표준 공개에 이어, 내년 1월 완성 단계의 표준을 제정할 계획이다.
안현 SK하이닉스 사장은 14일 서울 코엑스에서 열린 'SEDEX 2026' 기조연설에서 HBF를 비롯한 회사의 차세대 AI 메모리 개발 전략을 소개했다.
이날 'AI 시대, 메모리 혁신의 방향을 묻다' 주제로 발표를 진행한 안 사장은 AI 수요 적기 대응을 위해 메모리가 세분화 및 다변화돼야 한다고 내다봤다. AI 인프라 성능이 강화되면서, 각 시스템별로 메모리에 요구되는 역할이 다양해지고 있기 때문이다.
이에 SK하이닉스는 기존 주력 제품인 고대역폭메모리(HBM) 외에도 3D 적층형(Stacked) D램, 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL), 고속 입출력단자(I/O) SSD 등으로 제품군을 확장 개발할 계획이다.
특히 HBF 개발을 적극 주도하고 있다. HBF는 HBM과 SSD 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층으로, 낸드를 수직으로 적층해 실리콘관통전극(TSV)으로 연결한다. HBM과 유사한 구조다.
안 사장은 "메모리 기업 샌디스크, 구글 등 CSP 기업들과 컨소시엄을 구성해 올해 7월 HBF의 첫 표준(0.7버전)을 공개한 바 있다"며 "내년 1월에는 최종 표준(1.0버전)을 제정해 생태계를 만들 것"이라고 강조했다.
HBF는 HBM처럼 데이터를 빠르게 주고 받으면서도, 낸드를 기반으로 해 용량을 크게 키울 수 있다. AI 추론 확산으로 다뤄야 할 데이터가 급증한 상황에서 대역폭과 용량 확장성을 동시에 잡을 수 있다는 장점이 있다. SK하이닉스가 목표로 한 HBF 성능은 동세대 HBM 대비 절반 수준의 대역폭, 약 10배 증가한 용량이다.
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HBM 역시 지속 고도화한다. SK하이닉스는 지난해 HBM4를 개발한 데 이어 올해 HBM4E, 내년 커스텀 HBM4E 및 HBM5를 개발할 계획이다.
안 사장은 "앞으로 일반 HBM과 커스텀 HBM이 병행 개발되겠으나, 장기적으로는 커스텀 HBM의 비중이 점차 확대될 것이라고 생각한다"며 "커스텀 HBM의 베이스 다이는 여러 고객들의 아이디어가 채용될 것"이라고 말했다.
