SK하이닉스 "3D D램에 파운드리 공정 활용"

김경훈·손호영 부사장, 2026 미래포럼서 "D램·파운드리 영역 가까워져 공동 최적화 중요"

SK하이닉스가 차세대 메모리 '3D D램' 반도체 개발에 파운드리 공정을 활용할 수 있다고 9일 밝혔다. 

전날 이천캠퍼스 수펙스센터에서 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 SK하이닉스 김경훈, 손호영 부사장은 3D D램 주요 기술 방향으로 D램 주변회로의 로직 파운드리 공정 활용, 데이터 버스 대역폭 극대화, 초단거리 전송 등을 제시했다.

3D D램은 기존에 평면(2D)으로 깔던 메모리 셀을 수직으로 쌓아 올려 집적도를 높인 차세대 D램이다.

손호영 SK하이닉스 부사장이 8일 이천캠퍼스 수펙스센터에서 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 발표하고 있다. (사진=SK하이닉스)

김 부사장과 손 부사장은 이 기술을 구현하려면 설계와 발열 문제뿐 아니라 미세 인터커넥트와 본딩, 공정 통합 등 패키징 영역 난제를 함께 해결해야 한다고 설명했다. 또한 전공정과 후공정(패키징), 파운드리와 메모리 기술 경계가 가까워진 만큼 기존 영역을 넘어선 공동 최적화가 중요해질 것으로 내다봤다.

손 부사장은 "3D 기술은 팹과 패키징의 기술 경계까지 바꾸고 있다"며 "어드밴스드 패키지 기술 혁신과 함께 기존 영역을 넘어선 최적화와 새로운 협업 체계를 만드는 것이 중요하다"고 강조했다.

같은 주제로 발표를 한 신창환 고려대 교수는 "3D D램은 단순히 칩을 수직으로 쌓는 기술을 넘어, 메모리와 로직 경계를 허무는 기술"이라며 "소자 미세화가 한계에 가까워지고 시스템과 메모리 간 데이터 이동에 따른 시간·전력 소모가 증가하면서 3D 기술로 전환은 불가피하다"고 설명했다. 이에 소재, 소자, 패키징, 아키텍처 등 네 영역을 인공지능(AI)으로 연계한 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 인사말에서 "과거 메모리 시장은 누가 더 빠르게 달리는지 경쟁하는 '직선도로'였다면, 현재는 시시각각 변하는 '곡선도로'를 달리는 것과 같다"며 "내부 역량뿐 아니라 외부 환경 변화 속도와 방향을 파악하고 유연하게 적응하는 속도도 중요하다"고 당부했다.