SK하이닉스, 올해 설비투자 40조원 후반 예상…생산능력 확대 '고삐'

전년 대비 최소 15조원 이상 투자규모 확대

SK하이닉스가 올해 40조원 후반 수준의 시설투자를 단행한다. 전년 대비 10조원 이상 확대된 규모다. AI용 고부가 메모리 수요에 적기 대응하기 위한 전략으로, 올 하반기 용인 신규 팹에 투자가 집중될 전망이다.

SK하이닉스는 29일 실적발표 자료를 통해 회사의 설비투자 및 고부가 메모리 사업 전략에 대해 밝혔다.

SK하이닉스 HBM4 12단 샘플(사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 고부가 메모리 수요 확대에 따라 적극적인 설비투자를 진행할 계획이다. 회사가 예상하는 올해 연간 투자규모는 40조원 후반 수준이다. 전년(30조 1730억원) 투자규모를 고려하면 최소 15조원 이상 증가하는 셈이다.

SK하이닉스는 M15X 양산 일정을 앞당기는 한편, 내년 초 용인 1기 팹 클린룸 오픈 이후 생산능력을 신속하게 확대할 수 있는 투자도 진행하고 있다. 최근 발표한 첨단 패키징 공장 P&T7과 낸드 생산기지 M17, 신규 반도체 클러스터 조성 등 중장기 투자 계획도 고객 수요와 투자 효율성 등을 고려해 단계적으로 추진할 방침이다.

SK하이닉스는 "중장기 성장 기회를 차질 없이 준비하는 동시에 설비투자 원칙을 유지함으로써, 생산능력과 재무 건전성을 함께 강화해 나갈 계획"이라고 설명했다.

고부가 메모리 제품의 경우, 올 2분기 HBM4의 양산 출하를 시작했다. 하반기 생산을 본격 확대할 계획이다. 또한 상반기 샘플 공급을 마친 HBM4E는 기술 성숙도와 양산 안정성을 갖춘 최적의 공정을 적용했다.

SK하이닉스는 "HBM 분야에서 우수한 품질과 높은 수율 기반의 안정적인 공급 능력, 원가 경쟁력과 업계 최고 수준의 성능을 포함한 종합 경쟁력을 바탕으로 리더십을 지속 이어간다는 방침"이라고 밝혔다.

소캠(SOCAMM)2는 2분기 들어 판매가 크게 늘었으며, 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 제품 공급도 본격화됐다.

낸드는 선단 공정 전환을 가속화해 고용량·고성능 제품 중심으로 포트폴리오를 강화한다. 321단 제품은 이미 전체 생산량에서 가장 큰 비중을 차지했으며, 연말까지 국내 생산능력의 50% 수준으로 확대할 계획이다.