로옴 SiC MOSFET, AI 서버용 BBU에 채용

높은 온도 내성으로 안정적 구동

로옴(ROHM)은 자사 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원의 BBU(배터리 백업 유닛)에 채용됐다고 21일 밝혔다.

생성 AI 보급을 배경으로 AI 서버 전원의 고전압화 및 HVDC(초고압 직류 송전) 아키텍처로의 이행이 가속화되는 가운데, 차세대 전원 시스템을 구현할 수 있는 SiC 파워 디바이스로서 선정됐다.

생성 AI의 보급에 의해 GPU의 고성능화가 가속화됨에 따라, 데이터 센터의 소비전력은 급증하고 있다. 이러한 과제에 대응해 송전 손실의 저감을 목적으로 하는 HVDC 아키텍처로의 이행이 추진되고 있다. 

(사진=로옴)

이러한 대전력 및 고전압 환경에서는 정전이나 순시정전과 같은 이상 발생 시에 시스템 및 방대한 데이터를 보호하기 위해, 서버랙 단위로 전력을 보상하는 BBU나 CU (캐패시터 유닛)의 역할이 한층 더 중요시되고 있다.

이번에 채용된 제품은 750V 내압 SiC MOSFET 'SCT4013DLL'로, AI 서버용 ±400V 전력 공급 아키텍처의 전원부에 탑재됐다. 본 제품은 SiC의 특성을 바탕으로 최대 정션 온도(Tj) 175℃의 높은 온도 내성을 실현해, 높은 전력밀도 및 고전압화에 따라 발열량이 증가하는 BBU에 있어서도 안정적인 동작이 가능하다.

또한 차세대 800VDC 전력 공급 아키텍처에 있어서는 BBU 내의 배터리팩에 공급되는 전원전압이 560V 정도이므로, 750V 내압 모델인 로옴의 SiC MOSFET를 사용할 수 있다.

차세대 AI 서버의 HVDC 전원은, 이상 발생 시에 고전압·대전류를 신속하고 저손실로 제어할 수 있는 백업 시스템이 요구된다. 이러한 까다로운 요건을 바탕으로, 고내압·저손실·고온 내성을 겸비한 SiC 파워 디바이스가 전력 제어의 중핵을 담당하는 키 디바이스로서 주목받고 있다.

앞으로도 로옴은 AI 서버 및 데이터 센터 시장의 성장에 주목해 SiC, GaN, 실리콘을 활용한 파워 디바이스의 개발과 공급을 강화해 나갈 예정이다. 또한 아날로그 IC 등을 조합한 솔루션 제안을 통해, 전력 효율 향상과 지속 가능한 사회 실현에 기여해 나간다는 방침이다.