로옴은 xEV(전기자동차)용 트랙션 인버터를 비롯한 차량용 전동 파워 트레인 시스템 및 AI 서버 전원, 데이터 센터 등 산업기기용 전원에 최적인 최신 EcoSiC, 5세대 SiC MOSFET를 개발했다고 21일 밝혔다.
로옴은 제5세대 SiC MOSFET의 개발에 있어서 소자 구조의 개선 및 제조 프로세스의 최적화를 통해 파워 일렉트로닉스 회로의 실제 사용 환경에서 중요시되는 고온 동작 시 (Tj=175℃)의 ON 저항치를 기존 제4세대 제품 대비 약 30％ 저감했다.
이에 따라 xEV용 트랙션 인버터 등 고온 환경에서 사용되는 어플리케이션에서 유닛의 소형화 및 고출력화에 기여한다.
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제5세대 SiC MOSFET는 2025년부터 베어칩 샘플의 제공을 시작하고, 올해 3월에 개발을 완료했다.
또한 올해 7월부터는 제5세대 SiC MOSFET를 탑재한 디스크리트 및 모듈의 샘플 제공도 개시한다. 라인업 확대와 더불어, 풍부한 설계 툴을 전개해 어플리케이션 설계의 서포트 체제를 강화해 나갈 예정이다.
