인텔이 11일(미국 현지시간) 미국 오레곤 주 힐스보로 소재 반도체 생산시설 'D1X' 확장 개장 행사를 진행했다.

인텔은 2010년 건립된 D1X 시설을 2019년부터 약 3년간 30억 달러(약 3조 3천700억원)를 들여 확장에 나섰다.

미국 오레곤 주 힐스브로 소재 인텔 반도체 생산 시설 D1X. (사진=인텔)

그 결과 D1X에 추가로 27만 제곱피트(약 2만5천 제곱미터) 규모 클린룸이 추가됐다. 이는 FIFA(국제축구협회) 공인 축구경기장의 3.5배 넓이다.

인텔은 D1X 시설에서 이르면 2024년부터 인텔 20A·18A 등 초미세공정과 새로운 트랜지스터 구조 '리본펫'(RibbonFET), 새로운 전력 전달 기술 '파워비아'(PowerVia) 등을 적용한 제품 생산 등에 나선다.

인텔은 이와 함께 오레곤 주 힐스보로의 500에이커(약 2.023제곱킬로미터) 면적 '론러 에이커스' 캠퍼스를 '고든 무어 파크'로 개명했다.

팻 겔싱어 인텔 CEO는 "새롭게 확장하는 D1X는 인텔의 도전적인 IDM 2.0 전략을 지원하기 위해 더욱 빠르게 공정 로드맵을 제공할 수 있도록 역량을 강화할 것"이라고 밝혔다.

고든 무어 파크 전경. (사진=인텔)

이어 "오레곤 주는 인텔 글로벌 반도체 연구개발의 핵심이며 반도체 산업 발전의 핵심적인 역할을 한 고든 무어의 유산을 기념하는 가장 좋은 방법은 오레곤 캠퍼스에 그의 이름을 붙이는 것"이라고 말했다.

앤 켈러허 인텔 수석부사장 겸 기술 개발 부문 총괄은 "인텔의 공정 기술 혁신은 모두 오레곤에서 시작됐으며 D1X 시설 확장으로 차세대 첨단 기술 제공의 발판을 마련했다"고 밝혔다.

권봉석 기자 기자 페이지 구독