일본 반도체·전자부품 회사 로옴은 8V까지 게이트 내압(게이트–소스 정격전압)을 높인 질화갈륨(GaN·갈륨나이트라이드) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT·High Electron Mobility Transistor) ‘GNE1040TB’를 양산한다고 23일 밝혔다.
질화갈륨은 차세대 파워 반도체에 쓰이는 화합물이다. 전력 저항성과 고속 변환 성능이 뛰어나다고 평가된다.
로옴은 게이트 내압을 일반적인 6V에서 8V로 높였다. 장치를 켜거나 끌 때 규정 전압 6V를 넘는 오버 슈트(over shoot) 전압이 발생하더라도 전원 회로가 손상되지 않는다고 설명했다.
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로옴 관계자는 “게이트 내압이 6V일 때 구동 전압이 5V라면 그 차이가 1V로 매우 좁다”며 “정격 전압을 초과하면 열이 발생하거나 파괴될 수 있다”고 말했다.
로옴은 데이터센터와 기지국, 자율주행 라이다(LiDar) 회로에 신제품을 쓸 수 있다고 소개했다. 라이다는 라이트(Light)와 레이더(Radar)의 합성어다. 레이저를 쏘고서 빛이 돌아오기까지 걸리는 시간과 빛의 강도를 재서 거리·방향·속도·온도·농도 등을 알아챈다. 레이더·카메라와 함께 라이다가 자율주행 자동차에서 사람의 눈 역할을 한다.
