ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 게이트 구동 채널과 저전압 제어 및 인터페이스 회로 사이에서 최대 6킬로볼트의 갈바닉 절연이 가능한 소형 고전압 게이트 드라이버 'STGAP2HS'를 출시한다고 9일 밝혔다.
갈바닉 절연은 회로 사이에 불필요한 직접 전류가 흐르지 않도록 방지하는 회로 설계 기법을 말한다. ST에 따르면 STGAP2HS는 최대 4암페어(A)의 출력 전류를 싱크 및 소싱할 수 있어 설계를 간소하는 것은 물론 고전력 컨버터와 전원공급장치, 가전기기 인버터를 비롯해 공장 자동화, 팬, 인덕션 히터, 용접기, 무정전 전원공급장치(UPS) 등에서 높은 신뢰성을 확보하는데 기여할 수 있다.
ST는 BCD(Bipolar CMOS DMOS) 기술을 통해 설계자가 신호 극성을 제어할 수 있도록 듀얼 입력 핀을 구성하고, 컨트롤러가 오작동할 경우 교차전도를 방지할 수 있는 인터로킹 보호 기능도 더했다. 입력은 3.3볼트까지 금속산화막반도체(CMOS)와 트랜지스터 트랜지스터 로직(TTL)과 호환되며, 공통모드일시내성(CMTI)은 전체 온도범위(영하 40도~영상 125도)에서 나노초당 100볼트(±100V/ns)를 지원한다.
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ST 측은 "STGAP2HS는 저전압 및 고전압 구간 간의 전파 지연을 일치시킴으로써 사이클 왜곡을 방지하고, 에너지 손실을 최소화할 수 있다"며 "또 과열 보호 기능과 함께 저전압 구간과 고전압 구동 채널 모두에 대해 전용 UVLO(Undervoltage-lockout) 보호 및 열 셧다운 보호 기능을 통합, 전원 스위치가 저효율 또는 위험한 조건에서 동작하지 않도록 해 신뢰성을 높여준다. 75나노초 미만의 입력 대 출력 전파 지연으로 정확한 펄스 폭 변조 제어가 가능하고, 대기모드를 통해 설계자는 시스템의 전력 소비를 줄일 수 있다"고 설명했다.
한편, STGAP2HS는 SO8W 패키지로 생산되며, 가격은 1천개 구매 시 개당 1.34달러다.
