ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 26일 최대 400와트(W)까지 충전이 가능한 질화 갈륨 기반의 '마스터GaN(MasterGaN)' 플랫폼을 출시한다고 밝혔다.
마스터GaN 플랫폼은 질화 갈륨(GaN)를 활용한 하프 브리지 드라이버와 전력 트랜지스터로 구성됐다. 이는 스마트폰 초고속 충전기, 무선 충전기, PC 및 게임기용 USB-PD 어댑터, 태양광 에너지 저장 시스템, 무정전 전원공급장치 등에 적용할 수 있다.
ST 측은 "현재 GaN 시장은 일반적으로 디스크리트 전력 트랜지스터와 드라이버 구동회로에 사용되고 있으며, 설계자들은 이를 조합해 최상의 성능을 구현하는 방법을 찾아야 한다"며 "ST의 마스터GaN은 이러한 문제 없이 제품 출시를 앞당길 수 있다. 또 부품 개수를 줄여 점유면적을 줄이고 어셈블리(조립)를 간소할 수 있는 것도 장점"이라고 설명했다.
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ST에 따르면 마스터GaN은 일반 실리콘 기반 솔루션 대비 충전기 및 어댑터의 크기를 80%, 무게는 70%까지 줄일 수 있다.
한편, ST는 2개의 GaN 전력 트랜지스터를 포함한 '마스터GaN1' 플랫폼을 GQFN 패키지(가로 9밀리미터, 세로 9밀리미터, 높이 1밀리미터)로 양산, 가격은 1천개당 7달러로 책정했다.
