로옴, 업계 최저 온저항 '4세대 SiC MOSFET' 개발

로옴이 업계 최고 수준의 낮은 온저항을 갖춘 전력 반도체 개발에 성공했다.

17일 로옴은 기존 대비 단위 면적당 온저항을 40% 줄인 전력 반도체 '1200V 제4세대 SiC MOSFET'를 개발, 고객사 대상 샘플 제공을 시작했다고 밝혔다.

로옴 측은 "전력 반도체는 온저항을 저감하면 단락 내량 시간이 짧아지는 트레이드 오프 관계가 있어 SiC MOSFET의 낮은 온저항화와 단락 내량 시간을 동시에 확보하기 어렵지만, 독자적인 더블 트렌치 구조로 기존품 대비 면적당 온저항을 40% 저감하는데 성공했다"며 "스위칭 역시 기생 용량을 대폭 삭감해 기존품 대비 손실을 50% 가량 줄여 차량용 인버터 및 각종 스위칭 전원에 소형화와 저소비전력화 기여할 수 있다"고 자신했다.

로옴이 개발한 '1200V 제4세대 SiC MOSFET'. (사진=로옴)

로옴은 이번에 개발한 1200V 제4세대 SiC MOSFET을 차량용 메인 인버터를 중심으로 보급할 계획이다.

한편, 로옴은 지난 2010년 세계 최초로 실리콘카바이드 전계효과 트랜지스터(SiC MOSFET)를 양산, 자동차기기 신뢰성 규격인 'AEC-Q101'을 충족하는 다양한 제품군을 보유하고 있다.