SK하이닉스가 업계 최대 용량을 갖춘 10나노미터 초반(1z nm) 공정의 DDR4 D램 개발에 성공했다.
21일 SK하이닉스는 1z nm 공정을 기반으로 한 16기가비트(Gb) 용량의 DDR4 D램 개발에 성공하고, 연내 양산 준비를 끝마칠 계획이라고 밝혔다.
이 제품은 단일 칩 기준으로 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다.
성능은 DDR4 규격의 최고 속도인 3천200메가비피에스(Mbps·초당 100만비트 전송)에 달하며, 전력효율은 기존 10나노미터 중반(1y nm) 공정 기반의 D램 대비 약 40%가량 높다.
SK하이닉스는 1z nm DDR4 D램에 기존에 사용하지 않았던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했으며, 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성을 높였다.
특히, SK하이닉스는 극자외선(EUV·Extreme Ultra Violet) 노광 장비 없이 기존의 멀티패터닝 장비를 사용해 1y nm 공정 대비 생산성을 약 27%가량 높이는 데 성공했다.
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이정훈 D램 개발사업 1z TF장 담당은 "업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것"이라고 전했다.
한편, SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 HBM3(High Bandwidth Memory3·고대역메모리) 등 다양한 응용 제품에 걸쳐 1y nm 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.
