로옴 주식회사가 서버용 전원공급장치와 태양광 인버터, 전동차 충전 스테이션용 고효율 SiC MOSFET 'SCT3xxx xR' 시리즈를 개발했다고 밝혔다.
SCT3xxx xR 시리즈는 파워 소스 단자와 드라이버 단자를 분리한 4단자 패키지를 적용해 전자 유도(인덕턴스)로 인해 게이트 전압이 저하되어 스위칭 속도가 지연되던 문제를 해결했다.
이를 통해 기존 3단자 패키지(TO-247N)에 비해 최대 35% 손실을 줄이는 동시에 고속 스위칭 성능을 최대화했다.
SiC 디바이스의 구동에 최적화된 게이트 드라이버 I (BM6101FV-C)와 각종 전원 IC, 디스크리트 제품을 탑재한 SiC MOSFET 평가 보드(P02SCT3040KR-EVK-001)를 함께 제공해 제품 적용 전 성능을 쉽게 평가할 수 있다.
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로옴은 "기존 제품에 비해 스위칭 손실을 줄인 신제품은 서버와 기지국, 태양광 발전 등 고출력이 필요한 응용 분야에 적합하다"며 "앞으로도 저손실 SIC MOSFET 등 혁신적인 디바이스 개발을 통해 각종 기기의 소비전력 절감에 기여할 것"이라고 밝혔다.
SCT3xxx xR 시리즈는 지난 8월부터 월 50만개 체제로 양산을 시작했다. 샘플 가격은 2천100엔(약 2만3천원)이며 이를 포함판 평가 보드는 온라인 부품 유통 사이트에서 구입할 수 있다.
