로옴, 차량용 초소형 MOSFET ‘RV4xxx 시리즈’ 개발

‘ADAS 카메라 모듈’ 등 차량용 부품 소형화에 기여

일본의 전자부품 기업 로옴이 초소형 사이즈의 금속산화물 반도체 전계 트랜지스터(MOS Field-Effect TransistorMOSFET) ‘RV4xxx 시리즈’를 개발했다고 23일 밝혔다.

RV4xxx 시리즈는 가로·세로 사이즈가 각각 1.6밀리미터(mm)에 불과한 초소형 제품이다. 이는 자동차 기기의 신뢰성 규격인 AEC-Q101를 충족해 자동차 기기에 적합한 품질을 확보한 고신뢰성 제품이다. 첨단운전자지원시스템(ADAS)용 카메라 모듈의 소형화에 기여할 수 있다.

로옴은 지난 5월부터 개당 100엔으로 RV4xxx 시리즈의 샘플 출하를 개시했다. 오는 9월부터는 월 10만개 단위로 대량 생산을 시작할 예정이다.

로옴이 개발한 초소형 사이즈의 금속산화물 반도체 전계 트랜지스터(MOS Field-Effect Transistor·MOSFET) ‘RV4xxx 시리즈’. (사진=로옴)

로옴에 따르면 하면 전극 패키지의 MOSFET은 최근 ADAS용 카메라로 수요가 늘어나고 있다. 이는 하면 전극 패키지의 MOSFET은 대전류를 유지함과 동시에 소형화를 실현할 수 있는 덕분이다.

로옴 측은 “차량용 부품에서는 신뢰성 확보를 위해 부품 실장 후에 외관 검사가 실시되고 있지만, 통상 하면 전극 패키지는 측면에 충분한 솔더 필렛이 형성되지 않아 자동차 기기에 필요 시 되는 솔더 높이를 확보할 수 없었다”며 “따라서 실장 후 솔더링 상태의 외관 검사가 어렵다는 과제가 있었다. 로옴은 웨터블 플랭크 형성 기술을 도입해 하면 전극 패키지로도 안정된 솔더 필렛 형성이 가능하도록 했다”고 자신했다.

로옴의 웨터블 플랭크 형성 기술은 패키지 측면의 리드 프레임부를 절단해 도금 가공을 실시하고, 리드 프레임을 절단할 때 발생하는 금속의 돌기 상태의 불필요한 부분을 억제하기 위해 리드 프레임 전면에 배리어 층을 구성하는 독자적인 공법이 적용됐다.

이에 부품 실장 시 제품이 기울어지거나 솔더에 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 로옴은 DFN1616 패키지(1.6mm×1.6mm)로서는 업계 최초로 패키지 측면의 전극 부분 높이 130마이크로미터(μm·100만분의 1미터) 보증을 실현했다고 자신했다.

한편, 로옴은 앞으로도 웨터블 플랭크 형성 기술을 활용해 소형 패키지를 개발하고, MOSFET뿐만 아니라 접합형 트랜지스터 및 다이오드로의 전개를 추진해 소형고신뢰성을 추구한 제품의 라인업을 확충해 나간다는 계획이다.