로옴, 세계 최초 SiC MOSFET 내장 컨버터 IC 개발

‘부품 수 감소·전력 고효율화’ 등 이점...5월부터 대량 양산 돌입

일본의 전자부품 업체 로옴이 1700볼트(V) 내압의 실리콘카바이드 기반 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(SiC MOSFET)를 내장한 교류(AC)·직류(DC) 컨버터 집적회로(IC) ‘BM2SCQ12xT-LBZ’를 개발했다고 12일 밝혔다.

BM2SCQ12xT-LBZ는 AC·DC 컨버터 IC로는 세계 최초로 SiC MOSFET를 내장해 단일 부품으로 저전력 AC·DC 컨버터를 손쉽게 개발할 수 있는 제품이다. SiC MOSFET은 실리콘(Si)과 탄소(C)로 구성된 화합물 반도체 재료인 실리콘카바이드를 활용해 컨버터에서 전류를 제어하는 반도체 소자를 말한다.

SiC MOSFET 내장 교류·직류 컨버터 IC 이점. (자료=로옴)

이 제품은 산업기기의 보조 전원용으로 최적화된 제어 회로와 SiC MOSFET의 패키지를 통해 ▲부품 수 감소(기존 12개 부품과 방열판→1개 부품으로 대체) ▲전력 고효율화 최대 5% 향상 등의 이점을 제공한다. 지난 1월부터 샘플(개당 2천500엔, 세금 불포함) 출하를 개시했으며, 로옴은 다음 달부터 월 10만개의 생산체제로 양산에 돌입할 예정이다.

로옴 관계자는 “이번에 개발한 제품은 산업기기의 SiC MOSFET 채용 AC·DC 컨버터의 보급을 촉진하는 SiC MOSFET를 내장한 세계 최초의 AC·DC 컨버터 IC”라며 “로옴은 2015년 세계 최초로 고내압·저손실의 SiC MOSFET를 구동하는 AC·DC 컨버터 제어 IC를 개발하는 등 업계를 선두해 SiC 파워 반도체의 성능을 최대한으로 발휘시키는 IC를 개발해왔다”고 자신했다.