삼성전자, 中 반도체공장 증설에 7조8천억원 투자

중장기 낸드플래시 수요 증가에 대응

삼성전자가 중국에 낸드플래시 메모리 공장 증설을 위해 대규모 투자에 나선다.

삼성전자는 28일 중국 시안에 있는 '삼성 중국 반도체(SCS)' 법인의 낸드플래시 메모리 증설에 향후 약 3년 간 70억 달러(약 7조8천억 원)를 투자하는 방안을 추진하고 있다고 공시했다.

삼성전자 측은 투자 검토 배경에 대해 "중장기 낸드플래시 수요 증가에 대응하기 위한 것"이라고 설명했다.

또 경영위원회에서는 이 중 자본금 23억 달러(약 2조6천억 원)에 대한 출자를 승인했다. 이날 경영위원회에는 권오현 부회장(DS), 윤부근 사장(CE), 신종균 사장(IM) 등 각 부문 대표이사 3인이 참석했다.

삼성전자 평택캠퍼스 반도체 생산라인 외경(자료=삼성전자)

삼성전자는 2014년 완공한 시안 반도체 라인을 현재 100% 가동하고 있다. 회사는 낸드플래시 최대 수요처인 중국 시장에서 규모의 경제를 확보하기 위해 시안에 반도체 라인 추가 증설을 검토해 왔다.

국내에서는 4세대 64단 V낸드를 생산하는 평택 1라인에 2021년까지 총 30조원을 투자하며, 화성 사업장에는 6조원을 투입해 첨단 인프라에 최적화된 신규라인 확보에 나섰다.