삼성, ST 손잡고 28나노 파운드리 고도화

28nm 공정에 ST마이크로일렉트로닉스 FD-SOI 기술 도입

삼성전자가 글로벌 반도체 업체와 손잡고 파운드리 사업 강화에 나선다. 앞서 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리에 최첨단 14나노 핀펫 공정 라이센스를 제공해 기술 저변을 넓힌데 이어, 유럽 ST마이크로일렉트로닉스의 첨단 기술을 도입해 28나노(nm) 공정 고도화에도 나선다.

삼성전자는 28나노 공정에 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)와 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI) 기술을 적용하기 위한 기술이전 계약을 체결했다고 15일 밝혔다.

이번 협력을 통해 삼성전자는 내년 초부터 경기도 기흥에 위치한 28나노 파운드리 공장(S1)에서 ST의 2첨단 FD-SOI 공정 기술을 적용한 제품 양산이 가능해졌다.

FD-SOI는 반도체 집적도를 높이고 회로설계를 쉽게 할 수 있는 차세대 웨이퍼 가공기술로 산화 절연층이 형성된 특수 웨이퍼를 사용해 누설 전류를 감소시켜 동작 속도 및 소비전력을 개선한 공정이다. 고성능 저전력 시스템온칩(SoC)에 대한 수요가 늘어나는 상황에서 보다 빠르고 고효율의 제품을 생산할 수 있도록 해준다.

28나노 FD-SOI 공정을 적용한 반도체는 20나노 공정에서 생산된 제품에 준하는 성능을 낼 수 있다. 내년부터 14나노와 20나노 공정기술이 본격 상용화되는 가운데, 삼성전자는 최신 14나노 핀펫 기술로 최첨단 공정을 원하는 고객사에 대응하면서 기술이나 원가 부담으로 기존 28나노 공정을 유지하고자 하는 고객사들에 수요에도 투트랙으로 대응할 수 있다.

앞서 삼성전자는 지난 4월 14나노 핀펫 공정 기술을 미국 글로벌파운드리에 제공하면서 고객사들이 동일한 설계로 두 회사의 파운드리를 모두 이용할 수 있는 '원 디자인 멀티소싱' 체계를 구축하며 생산능력(CAPA)과 기술 저변을 확대한 바 있다.

이번 협력으로 ST는 자사 공장 이외에 삼성전자 공장에서도 FD-SOI의 생산능력을 확보할 수 있게 됐다. 현재 ST는 해당 공정 개발을 완료하고 프랑스 크롤에 위치한 300나노 공장에서 28나노 FD-SOI 기술을 적용하고 있다.

정세웅 삼성전자 S.LSI 사업부 부사장은 ST와 협력을 통해 20나노 공정 전환없이 성능 및 전력 효율 개선을 원하는 고객의 요구에 적기 대응할 수 있게 됐다며 28나노 기술은 뛰어난 생산성 및 효율을 갖춘 공정 세대로 가장 오랫동안 고객의 선택을 받을 것으로 예상되며 삼성전자는 28나노 세대에 FD-SOI 기술을 추가함으로써 고객에게 새로운 옵션을 제공할 것이라고 밝혔다.

쟝 마크 쉐리 ST 최고운영책임자(COO) 겸 임베디드 프로세싱 솔루션 사업총괄은 28나노 FD-SOI 기술 협력은 해당 기술의 생산 능력을 증대함과 동시에 양사 협력 관계 및 사업에 탄력을 불어 넣을 것으로 기대된다 며 주요 전자설계자동화(EDA) 및 지적재산권(IP)업체들의 참여로 28나노 FD-SOI 공정의 IP가 풍부해질 것으로 전망한다고 말했다.