SK하이닉스, 세계 첫 128GB 20나노 DDR4 개발

용량, 속도, 전력소모량 모두 개선

SK하이닉스가 세계 최초 최대용량 128GB DDR4 D램 모듈 개발에 성공했다. 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 용량과 속도, 전력 소모량을 모두 개선했다.

SK하이닉스(대표 박성욱)는 세계 최초로 20나노급 8Gb DDR4 기반 최대용량 128GB D램 모듈을 개발했다고 7일 밝혔다.

이 제품은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 기존 최고 용량 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했다. 속도도 1333Mbps인 DDR3의 데이터 전송속도보다 빠른 2133Mbps를 구현했고 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB 속도로 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.

SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 서버용 D램 시장에서도 기술 리더십을 이어 나가게 됐다고 설명했다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 양산할 계획이다.

홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장 전무는 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

한편 시장조사업체 가트너는 서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 것으로 전망했다. 또 DDR4 D램이 올해 고객 인증을 시작으로 내년부터 시장이 본격화돼 2016년 이후에는 시장 주력 제품이 될 것으로 예상했다.