바스프, 성균관대에 전자소재 R&D센터 설립

바스프(BASF)가 경기도 수원에 위치한 성균관대학교 자연과학캠퍼스에 아시아태평양지역 전자소재 연구개발(R&D)센터를 설립한다.

한국바스프(대표 신우성)는 8일 성균관대와 파트너십을 맺고 성균관대 자연과학캠퍼스에 아시아태평양지역 전자소재 R&D센터를 설립, 운영한다고 밝혔다. 내년 개소 예정인 이곳에서는 40여명의 연구진이 근무하면서 바스프의 아시아태평양 지역 전자소재 연구의 통합 허브 역할을 담당하게 된다.

이를 위해 벨기에 브뤼셀에서 열린 ‘2013 유럽 투자유치식’에서 윤상직 산업통상자원부 장관을 비롯해 바스프와 성균관대 관계자들이 참가해 R&D센터 설립에 관한 협력 의향서(LOI)를 체결했다.

로타 라우피클러 바스프 그룹 전자소재 사업부문 수석 부사장은 “한국은 전자산업, 전자소재 연구 분야에서 최첨단을 걷고 있다”며 “성균관대에 설립될 아태지역 전자소재 R&D 센터를 통해 바스프가 갖고 있는 전자소재 분야의 세계적인 전문성과 우수 연구 인력들의 최신 연구를 접목할 수 있게 됐다”고 말했다.

이번에 설립되는 전자소재 아태지역 R&D센터는 바스프의 글로벌 R&D 센터 네트워크의 일부로 스페셜티 , 공정 화학제품, 무기소재뿐 아니라 반도체, 디스플레이, 유기 전자 소재, 발광다이오드(LED), 태양광용 고성능 어플리케이션을 위한 포뮬레이션 연구에 주력할 계획이다.

산업부는 이날 같은 장소에서 바스프 외에도 지멘스, 베르살리스, 엘에프비, 솔베이 등과도 국내 투자에 대한 협약식을 가졌다고 전했다.

지멘스는 에너지솔루션 분야에서 기존에 체결한 우리나라에 대한 투자를 차질 없이 진행하겠다고 밝혔으며 베르살리스 등도 화학 분야에서 국내 업체들과의 합작 투자를 통한 청사진을 제시했다.