삼성전자, 10나노급 128Gb 낸드 양산 돌입

삼성전자가 10나노급 128기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 양산에 들어갔다. 지난해 11월 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시 양산에 이어 5개월 만에 용량을 두 배 늘렸다. 1나노는 10억분의 1미터에 해당하는 크기다.

삼성전자(대표 권오현)는 이달부터 10나노급 128Gb 3bit MLC 낸드플래시 제품 양산에 돌입했다고 11일 밝혔다.

이번에 양산에 들어간 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 초고속 낸드 규격인 토글(Toggle) DDR 2.0 인터페이스를 적용한 고성능 제품으로 특히 20나노급 64Gb MLC 대비 2배 이상 생산성이 높다.

128Gb 낸드플래시 양산을 통해 삼성전자는 대용량 eMMC와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 대용량 메모리 스토리지 라인업을 더욱 확대해 기존 64Gb MLC 낸드플래시 시장을 빠르게 전환시켜 나간다는 계획이다.

삼성전자는 지난 2010년 양산을 개시한 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드 플래시 제품을 2012년 9월에 출시된 SSD 840시리즈에 탑재했다.

올해는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시가 128GB 메모리 카드 시장과 500GB이상 대용량 SSD 시장을 더욱 확대시켜 SSD 대중화 시대를 앞당기는데 기여할 것으로 회사 측은 내다봤다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 “이번에 고성능 128Gb 낸드플래시를 본격 양산함으로써 대용량 스토리지 시장에서 제품 경쟁력을 더욱 강화시키게 됐다”며 “향후에도 차세대 3bit MLC 낸드 기반의 고성능 대용량 SSD 및 내장스토리지 제품과 차별화된 솔루션을 선행 제공해 기술 경쟁력 우위를 지속 유지하고 프리미엄 메모리 시장의 성장을 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다.