메모리업계가 향후 2년내 최첨단 3D반도체 공정을 도입한다. 20나노 이하 공정 경쟁에 돌입한 낸드플래시 업체가 먼저 움직여 이 시기 양산을 시작할 것으로 예상됐다. 삼성이 오는 2014년 시안에 완공할 낸드플래시 공장에서 양산의 첫 포문을 열게 된다.
26일 반도체업계에 따르면 삼성전자가 오는 2014년 시안에서 낸드플래시 메모리 제작에 3D트랜지스터 공정을 이용한 낸드플래시를 양산한다. 또 도시바, SK하이닉스 등이 모두 3D 공정을 도입하기로 하고 개발하고 있다. 이미 3사 가운데 시제품을 내놓은 업체도 있는 것으로 알려졌다.
3D트랜지스터는 지난해 인텔이 세계최초로 개발한 공정기술이다. 인텔은 당시 이 공정을 적용, 아이비브릿지칩을 만들면서 이전 샌디브릿지에 비해 동일한 규격으로 전력용량을 30%정도 저감하고 연산 성능을 50%이상 향상시킬 수 있었다.
이 3D칩 기술이 미세공정 개발의 한계에 달하면서 새삼 각광받고 있다. 인텔에 이어 삼성전자, SK하이닉스, 도시바 등 메모리 업체가 낸드플래시에 이 기술도입을 위한 준비에 박차를 가하고 있다. 글로벌 파운드리도 오는 2014년 이 칩공정기술을 적용할 것으로 알려졌다.
반도체 업계의 한 관계자는 “3D 기술에 개발은 2000년대 중반부터 추진됐다”며 “기술은 상당 부분 개발됐지만 대량 생산은 1~2년 더 시간이 걸릴 것”이라고 전망했다.
반도체 업계는 도시바, 삼성전자, SK하이닉스 등이 모두 연말, 내년 10나노급 이하 낸드플래시 양산에 착수했거나 할 계획으로 내년말, 2014년 초경 3D가 도입된 제품 양산을 예상하고 있다.
각 사별 기술은 다르다. 삼성전자는 도시바가 유사한 방식이고 SK하이닉스는 독자 방식으로 개발하고 있다.
이세철 메리츠증권 연구원은 “삼성전자는 TCAT(테라비트 셀 어레이 트랜지스터), SK하이닉스는 3D 플로팅 게이트 방식으로 구현하고 있다”고 설명했다.
관련기사
- 삼성 10나노 낸드 양산…64GB eMMC 출시2012.11.26
- 낸드시장 삼성 1위 굳건, 도시바 인텔 추격 거세2012.11.26
- 글로벌파운드리 "2년 내 14나노 반도체 양산"2012.11.26
- 인텔, “2분기중 22nm공정 적용률 25%”2012.11.26
삼성전자는 콘트롤 게이트를 수직으로 쌓고 TANOS 막질을 입히는 방식으로, 도시바는 SONOS 막질을 입히는 방식을 사용한다. SK하이닉스는 콘트롤 게이트를 수직으로 쌓고 그 사이 플로팅 게이트를 쌓는 3D FG방식을 이용하는 것으로 알려졌다.
3D 낸드플래시는 삼성전자가 가장 먼저 양산을 시작할 것으로 업계는 전망했다. SK하이닉스는 개발은 하고 있지만 구체적인 양산 일정은 잡지 못했다.
