삼성전자, 중국 반도체 생산라인 건설 착수

삼성전자가 중국 산시성 시안이에 차세대 낸드플래시 메모리 반도체 생산라인 건설을 시작했다.

삼성전자는 12일 중국정부를 대표한 자오러지 산시성 서기, 한국정부를 대표한 이규형 주중대사, 지식경제부 윤상직 차관, 권오현 대표이사를 비롯한 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 '삼성중국 반도체' 생산단지 건설을 알리는 기공식 행사를 가졌다.

이날 행사에서 리커창 중국 국무원 부총리는 축하 서신을 통해 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과라고 말했다.

권오현 대표이사는 환영사를 통해 한중 수교 20주년을 맞아 첨단 과학과 교육의 도시인 시안(西安)에서 기공식을 갖게 돼 영광이라며 삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며 향후에도 삼성중국반도체를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌할 것이라고 밝혔다. 삼성전자의 시안 공장은 초기 투자금액 23억달러, 총 투자 규모 70억달러로 오는 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산 할 계획이다. 투자는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모다.

시안은 중국에서 1천년 이상 동안 수도였던 역사 깊은 도시로 중국정부가 추진하는 서부대개발의 과학기술 중심도시로 꼽힌다. 또한 반도체 생산라인 운용에 필요한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고 글로벌 IT기업의 생산 중심지, 연구 거점으로 성장하고 있어 향후 삼성전자가 글로벌 오퍼레이션을 강화하는데 최적의 장소로 평가 받았다.

뿐만 아니라 시안에는 37개의 대학교와 3천여개의 연구 기관이 위치하고 있어 반도체 산업에서의 핵심인 우수인재 확보에도 용이한 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이미 11일 시안(西安)시에 위치한 서북공대와

MOU를 체결해 반도체 관련 학과의 우수 학생들에게 장학금을 지급하고 국내 대학과의 교류를 지원하는 등 우수 인재 양성을 위한 노력을 시작했다.

삼성전자는 지난해 화성 16라인을 준공한지 1년 만에 시안 생산 라인 건설에 착수함으로써 국내외 균형있는 투자를 지속하고 있다. 또한 11일에 산시성에서 유치한 투자환경설명회에 많은 삼성전자의 협력사가 참여하는 등 이번 삼성전자의 투자를 통해 160여개의 협력사들이 중국에 진출을 할 수 있는 계기가 마련됐다.

삼성전자의 중국 진출은 미국 오스틴 공장에 이은 두 번째 해외진출이다. 글로벌 IT 기업들의 주요 거점이자 최대 시장인 중국과 미국에 생산단지를 구축한 삼성전자는 향후 안정적인 생산체계 구축으로 시장변화에 보다 빠르게 대응할 수 있을 것으로 전망했다.