마이크론 128M 상변화메모리 시연

더레지스터가 2일(현지시간) 노어메모리에 비해 50배나 빠르게 가동되는 마이크론의 상변화메모리(Phase Change Memory PCM) 시연모습을 소개했다.

상변화메모리(PCM)는 비휘발성 메모리분야에서 낸드와 노어플래시메모리 이후의 가장 강력한 경쟁자로서 각광받고 있는 차세대 메모리다. 이 메모리는 빠른 속도와 간단히 데이터에 접속할 수 있는 D램의 특징과 낸드나 노어플래시메모리가 가진 전원이 끊어져도 데이터를 저장하는 비휘발성 특징을 결합한 메모리다.

이 메모리는 칼코겐(S,Se,Te)유리를 다중수정체나 비정질상태로 바꾸면서 2진법으로 데이터를 저장한다.

물질의 전기 저항을 지시하는 이 상태는 물질을 통해 흐르는 전류에 의해 변화하게 된다. 상변화메모리는 반도체공정이 점점 미세화하고 있는 상황에서 낸드와 노어플래시를 대체해 미래의 읽기쓰기용 메모리로서 각광받고 있다. 마이크론은 블로그를 통해 상변화메모리에 대한 준비된 동영상을 제공하고 있다. 시연된 애플리케이션은 128M비트의 이미지를 해독하거나 해독하지 않은 채 128M비트의 상변화메모리나 128M비트의 노어메모리에 저장한다.

시험결과 노어메모리는 이미지 해독에 2분 걸린 반면 PCM버전 앱은 수많은 장벽을 제거하고 다시쓰기를 하면서 단 몇 초 만에 이를 해독해 냈다. 정확한 시간대는 밝혀지지 않았다.

마이크론의 브라이언 브릿포드 상변화메모리 전문가는 이것이 노어메모리에서 1.5분 걸리는 것을 PCM에서는 2초 만에 해결할 수 있다는 것을 말한다고 설명했다. 즉 PCM이 낸드에 비해 45배나 더 빠르다는 것이다.

마이크론이 제공하고 있는 아래 동영상은 이를 잘 보여준다.