하이닉스, 차세대메모리「Fe램」개발

하이닉스(www.hynix.com)는 9일 차세대 이동통신과 시스템온칩(SoC)용 메모리로 가장 적합한 Fe램 상용화 기술개발에 성공했다고 밝혔다.Fe램이란 D램의 고집적도, S램의 고속 동작에다 플래시메모리처럼 전원이 끊겨도 기록된 정보를 유지할 수 있는 비휘발성 등 메모리의 특성을 고루 갖추고 있어 차세대 메모리로 주목받고 있는 제품이다. 하이닉스는 일단 4메가와 8메가 Fe램 샘플을 개발했으며 이번 기술 개발로 앞으로 64메가급 고용량 상용화 제품까지 개발할 수 있는 가능성을 열어놓았다고 설명했다. 재 Fe램은 일본 후지쓰가 스마트카드용 부품으로 개발해 소량 양산하고 있는 256K급 제품이 최대 용량이다.하이닉스 관계자는 "기존 Fe램의 셀구조를 개선해 칩 크기를 더욱 초소형화할 수 있게 됐다"면서 "앞으로 휴대전화 등 저전력이 요구되는 모바일 기기의 핵심 부품으로 활용될 수 있을 것"이라고 말했다.하이닉스는 이 제품을 10일 미국 콜로라도 스프링스에서 열리는 제15회 국제강유전체심포지엄(ISIF) 학회에서 공식 공개한다.Fe램 분야에서 업계 최다인 150여 건의 미국 특허를 등록ㆍ출원중인 하이닉스는 이번 기술개발을 계기로 64메가급 Fe램 개발과 안정적인 양상체제를 구축해 이 분야에서 경쟁사들보다 한 발 앞서갈 수 있을 것으로 기대했다.한편 Fe램은 휴대전화 개인휴대단말기(PDA) 스마트폰 등 휴대 단말기의 급속한 보급과 더불어 활용도가 급속히 늘어나 2005년에는 100억 달러 시장을 형성할 것으로 하이닉스는 전망했다. @