하이닉스, 세계최초 30나노 4Gb D램 개발

하이닉스반도체(대표 권오철)는 세계 최초로 30나노급 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 29일 발표했다. 하이닉스는 또 30나노급 2Gb DDR3 D램 개발을 완료해 내년 1분기에 양산한다고 밝혔다.

30나노급 4Gb DDR3 D램은 향후 대용량 프리미엄 서버 및 고사양 개인용 컴퓨터에서 요구하는 고용량·고성능·저전력 특성을 만족시킬 수 있는 제품이다.하이닉스는 이 제품을 통해 향후 프리미엄 제품시장을 선점한다는 계획이다.

30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70%가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다. 최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도가 60% 가량 빨라졌다. 2133Mbps의 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3~4편에 해당되는 4.2GB의 데이터를 1초내에 처리할 수 있는 속도이다.

또한, 30나노급 2기가비트 서버용 제품은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용한 제품으로 기존 40나노급 2Gb 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.

박성욱 하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO, 부사장)은 하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2Gb 제품으로 생산하고 있다며 향후 고용량·고성능·저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 4Gb 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 것이라고 말했다.

한편, 시장조사기관 아이서플라이는 2Gb D램 비중이 2010년 4분기 현재 30% 수준에서 2011년 3분기에 50%를 넘어설 것으로 전망하고 있다. 또한, 4Gb D램은 2011년 말부터 시장이 형성돼 2014년 약 43%까지 비중이 확대될 것으로 전망했다.