삼성전자 반도체, 내년에도 투자규모 확대

내년 반도체 공정 투자가 올해 대비 5% 이상 증가한 458억8천500만달러가 될 전망이다. 삼성전자가 올해 153% 투자를 늘린 데 이어 내년에는 8%, 하이닉스는 올해 249%에 이어 내년 5% 가량 투자를 늘릴 것으로 예상됐다.

20일(현지시간) EE타임즈는 바클레이캐피탈 전망, 각 반도체 회사 자료를 인용해 내년 공정 투자를 전망했다. 이 보도에 따르면 바클레이캐피탈 C.J.뮤스 연수원은 최근 펴낸 분석보고서를 통해 “내년 반도체 장비 투자가 크게 늘어나지 않을 것이라는 전망에서 5~10% 투자 증가로 의견을 변경했다”고 설명했다.

특히 내년에는 플래시메모리 분야 투자가 크게 늘어날 전망이다. 뮤스 연구원은 “플래시메모리 투자는 전년 대비 36% 늘어난 98억달러, D램 투자는 12% 감소한 107억달러”를 예상했다. 파운드리 투자는 4% 늘어난 139억달러가 전망됐다.

내년에도 가장 많은 투자를 할 것으로 예상된 업체는 역시 삼성전자다. 삼성전자 내년 장비투자액은 96억1천200만달러로 올해에 이어 내년에도 반도체 부분에 10조원 이상 투자를 단행할 전망이다.

보도에 따르면 삼성전자는 지난 2009년 투자액을 절반가량으로 줄인 이후 지난해 투자를 대폭 늘렸다. 삼성전자는 내년 화성 16라인, 오스틴공장 증설 등으로 장비 투자를 이어갈 전망이다.

삼성전자에 이어 대만 TSMC가 61억달러로 올해 대비 투자를 3% 늘릴 전망이다. 인텔은 10% 늘린 57억달러, 글로벌파운드리는 14% 늘린 32억달러가 예상됐다.

하이닉스는 올해 투자를 크게 늘려 2009년 7억8천400만달러에서 27억3천800만달러로 규모를 확대했으며 내년에는 28억7천500만달러 가량을 반도체 투자액으로 사용할 전망이다.

가장 투자액 비중을 많이 늘릴 것으로 예상된 업체는 마이크론/IM플래시다. 내년 투자액을 무려 112% 늘려 25억달러를 투자할 것으로 예상됐다. 반면 UMC, 샌디스크, 텍사스인스트루먼트, 엘피다 등은 올해 대비 투자액을 각각 1~25%까지 줄일 것으로 전망됐다.