하이닉스가 연내 38나노 D램 개발 완료, 26나노 낸드플래시 양산에 돌입할 계획이다. 메모리 사업에 집중, 경쟁업체와의 기술격차를 줄여 메모리 시장 선도업체로 자리를 굳힌다는 전략이다.
29일 권오철 신임사장 기자간담회에 참석한 김지범 하이닉스 전무는 "D램 44나노는 생산을 시작했고 연내 38나노 D램 개발을 끝낼 것"이라고 말했다. 하반기 초기 양산까지 할 수 있도록 준비할 계획이다.
김 전무는 낸드플래시에 대해선 26나노 공정에 대해 연구소 단계의 개발이 끝났다고 설명했다. 김 전무는 "26나노는 샘플이 출하됐으며 생산 이관 작업이 진행중"이라며 "하반기 생산하는 것으로 준비중"이라고 설명했다.
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하이닉스는 지난 1월 'M&A 사전설명회'를 통해 오는 7월까지 20나노급 개발 완료를 비전으로 제시한 바 있다.
하이닉스는 지난해 말 40나노급 D램 양산을 시작했으며 올해는 물량 확대에 나서고 있다. D램은 상반기 내 44나노 비중을 28%까지 확대할 방침이다.