하이닉스반도체, 이노베이티브실리콘이 차세대 메모리기술인 Z램 상용화 기술개발을 진전시켰다.
22일 이노베이티브실리콘은 Z램 기술로 기존 D램 전압과 동등한 1V 이하에서 구동할 수 있는 기술을 개발했다고 발표했다. 이 회사는 전압을 낮췄을 뿐만 아니라 비싼 절연체실리콘(SOI) 기판 없이 D램 3D 트랜지스터 구조를 사용, 벌크상태 실리콘 웨이퍼 기반에 장착할 수 있도록 개발했다고도 밝혔다.
하이닉스반도체 Z램 테스트칩 개발에 참여, 성과를 입증했다. Z램 기술은 낮은 전력 소비, 낮은 전압 작동, 최신 DDRx(Double Data Rate) 성능 수준의 D램 요건을 충족시킨다.
홍성주 하이닉스반도체 D램 담당 부사장은 이노베이티브 실리콘과의 공동 노력이 성과를 냈다 “54나노 테스트칩이 보여준 전력, 전압 향상을 통해 Z램 기술은 FB 메모리가 지닌 난제를 해결했음을 보여줬다고 설명했다.
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홍 부사장은 Z램 기술이 차세대 메모리칩에서 기존 D램을 대체할 대단한 잠재성을 가지고 있음을 입증했다”고도 덧붙였다.
이노베이티브 실리콘은 하반기 중 더 낮은 전압 작동에 대한 상세 내용도 발표할 예정이다.
