일본 엘피다메모리가 일본 히로시마 300나노미터(12인치) 팹에서 40나노미터 2Gb DDR3 SDRAM 양산을 시작했다고 디지타임스 등 외신이 22일 보도했다. 엘피다는 지난 10월 연내 이 제품 양산을 할 계획이라고 밝힌 바 있다.
엘피다는 초기에는 일본 히로시마 공장에서 칩을 양산한 이후 대만 렉스칩에서 내년 2분기경 차세대칩을 부분 양산할 계획이다. 이를 통해 40나노 공정 비용을 줄여나갈 계획이다.
엘피다는 시장 상황을 고려해 파운드리 협력사인 프로모스, 윈본드 등에도 40나노 확대를 위해 양산을 맡길 계획이다.
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