중국 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)에 삼성전자 D램 기술을 유출했다는 혐의로 1심에서 7년형을 받은 전 삼성전자 직원 전 모씨(이하 피고인)가 항소심에서 5년형을 선고받았다. 피고인은 지난 4월 1심에서 징역 7년을 선고 받았는데, 2심에서 5년형으로 감형됐다.
서울고등법원은 22일 산업기술 해외유출 사건 항소심에서 피고인에게 5년형을 선고했다.
재판부는 "피고인이 CXMT 근무시절 (허페이 프로젝트 관련) 설비투자 정보를 취합했지만 개발업무에 직접 관여하지 않았고, 다른 CXMT 기술 유출 사건에 증인으로 출석하며 실체적 진실 규명에 협조하고 있다는 점 등을 고려하면 1심 선고(7년형)는 부당한 면이 있다"며 양형 이유를 밝혔다. 공소청과 피고인은 7일 안에 대법원에 상고할 수 있다.
피고인은 삼성전자에서 28년 근무한 뒤 CXMT로 이직했다. 피고인은 지난 2016년 8월 CXMT 입사 직후 임원진 앞에서 18나노미터(nm) D램 반도체 공정 투자계획 '허페이(H) 프로젝트' 발표에도 참여했다. 피고인은 이 자료 작성 과정에서도 자신의 역할은 미미했다고 주장했다. 피고인과 함께 허페이 프로젝트를 발표한 A씨는 6년 징역형을 받았다. A씨도 삼성전자 출신으로, 피고인과 지난 2016년 CXMT에 가장 먼저 입사한 인물이다.
피고인은 지난 1일 공판에서 "CXMT 근무 시절 다른 한국인 공정 엔지니어에 비해 (자신은) 역할이 미미했다"고 주장했다. 피고인은 또 CXMT '허페이 프로젝트' 추진과 관련해 "설비투자 관련 자료를 취합했다"는 사실은 인정하면서도, 자신은 "18나노 공정 기술 자체는 모른다"고 주장했다. 그는 "삼성전자 근무 시절에도 40나노 공정까지만 경험했기 때문에, 18나노 공정에 대해서는 전혀 모른다"고 답했다.
CXMT는 이후 18나노 공정 D램을 양산하기 위해 삼성전자 출신 등 한국 인력을 추가 채용했다. '임플란터'(이온 주입장비) 전문가 B씨도 CXMT에 합류했다. B씨 영입 후 'PRP'(Process Recipe Plan·공정 설계도)가 큰 폭으로 바뀌었다.
지난 1일 공판에서 검찰(공소)은 "CXMT가 당초 PRP 세부 공정 단계를 536개로 설계했지만, 임플란터 전문가 B씨를 영입한 뒤 615개로 늘었다"며, 피고인에게 "PRP 단계가 크게 늘었는데, 삼성전자 기술이 유출됐을 것이라고 생각하지 않았느냐"며 추궁했다.
피고인은 "(삼성전자 기술 유출 가능성을) 의심만 했다"고 답했다. 그러면서도 피고인은 A씨가 B씨 합류 후 새롭게 만든 PRP 보안에 특별히 신경쓰라고 했다는 사실을 시인했다.
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공판 과정에서 피고인은 CXMT 내에 "항상 주변에 삼성전자와 국정원이 있다고 생각하라. 출입국이 금지되거나 체포되면 위챗(중국 SNS)으로 하트 4개를 보내라"는 보안지침이 있었다는 사실은 시인했다.
피고인은 1심에선 PRP를 "(삼성전자 출신) 공정 엔지니어들의 기억에 의존해 재현할 수 있다"고 주장했지만, 항소심에선 "엔지니어 기억에 의존해 PRP를 재현하는 것은 불가능하다고 생각한다"고 말을 바꿨다.
