삼성전자, 차세대 '4F² VCT D램' 개발 재확인…CXMT 메모리 추격 대응

송재혁 사장 SEDEX서 "열심히 하고 있다"...프로젝트명 'D0a-V'

중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 서버용 D램에 '4F²(포에프스퀘어)' 기술 적용을 예고하며 시장을 흔드는 가운데, 삼성전자가 동일 기술 개발 사실을 다시 한번 확인했다. 

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 겸 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 개막한 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)' 현장에서 삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐는 취재진 질문에 "그렇다"고 답했다. 

(왼쪽부터) 안현 SK하이닉스 사장, 송재혁 삼성전자 CTO(사장), 이준석 개혁신당 의원. (사진=지디넷코리아)

구체적인 개발 상황에 대해서는 "열심히 하고 있다"며 말을 아꼈다. 글로벌 메모리 시장 화두로 떠오른 4F² 기술 주도권을 놓치지 않겠다는 의지를 분명히 했다.

4F²는 셀 면적을 극단적으로 줄여 동일한 칩 면적 내에 더 많은 데이터를 담는 차세대 셀 구조 기술이다. 최근 CXMT가 해당 기술을 적용한 서버용 D램 출시 계획을 기습 발표하면서, 업계에서는 중국의 메모리 기술 추격 우려가 확산됐다. 전날 주식시장에서 삼성전자와 SK하이닉스 주가도 급락했다. 

삼성전자는 약 5년 전부터 4F² 기술을 연구 중이라고 밝혀왔다. 내부에서는 셀 구조를 수직으로 세우는 '수직 채널 트랜지스터(VCT) D램' 형태로 고도화하고 있다. 

업계에 따르면 삼성전자는 차세대 3D D램 및 수직 구조 공정 노드인 'D0a'에 4F² 기술을 적용할 계획이다. 내부 프로젝트 명칭은 'D0a-V'다. CXMT의 선전포고로 삼성의 차세대 공정 전환 행보에도 업계 관심이 커질 것으로 예상된다. 

삼성전자는 이번 SEDEX 2026 전시회에서 'AI 시스템 설계'를 주제로 클라우드 AI, 에지 AI, 피지컬 AI, 반도체 클러스터 등 6개 공간을 조성해 첨단 솔루션을 선보였다. 현장에는 개혁신당 이준석 의원도 방문해 송 사장, 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장과 함께 주요 기업 전시 부스를 둘러봤다.