인텔 파운드리·ASML, 고개구율 EUV 상용화 속도 높인다

인텔 파운드리는 8일(현지시간) 네덜란드 반도체 노광장비업체 ASML과 함께 차세대 노광 기술인 '고개구율 EUV(극자외선)' 적용 확대를 위한 협력을 강화한다고 밝혔다.

양사는 8일 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열린 반도체 학술행사 'SPIE 포토마스크 기술 및 극자외선 리소그래피' 컨퍼런스에서 고개구율 EUV 적용 현황과 향후 협력 확대 계획을 공개했다.

고개구율 EUV는 현재 0.33 수준인 EUV 개구수(NA)를 0.55까지 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광기술이다. 회로를 여러 번 그려 겹치는 멀티 패터닝 과정이 줄어드는 것은 물론 같은 회로를 더 적은 공정으로 구현해 효율을 높일 수 있다.

인텔 파운드리는 현재 노트북용 고성능 프로세서인 '코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)' 구성 일부 핵심 레이어에 고개구율 EUV를 활용중이다.

이날 인텔 파운드리는 "초기 장비 인증과 테스트, 연구개발, 양산 과정 등을 합쳐 100만장 이상의 웨이퍼를 처리했다. 1.8나노급 인텔 18A 공정에서 고개구율 EUV 적용 레이어는 기존 공정과 성능 측면에서 동등하거나 이를 웃도는 수준을 확보했다"고 밝혔다.

고개구율 EUV는 더 미세한 패턴을 구현할 수 있지만 현행 마스크 규격과 장비의 노광 영역 차이로 대형 칩을 한 번에 생산할 수 없다는 과제를 안고 있다.

인텔 파운드리는 기존 6인치 마스크를 바탕으로 하나의 다이(Die)에 해당하는 영역을 여러 번 나눠 노광한 뒤 연결하는 '스티칭(stitching)' 기술을 개발중이다.

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