SK키파운드리, SiC MOSFET 공정 플랫폼 개발…1200V 고객사 확보

450V~2300V 폭넓은 전압대 구축

SK키파운드리는 최근 차세대 화합물 전력반도체 시장에서 각광받고 있는 실리콘카바이드(SiC) 플라나(Planar) MOSFET 공정 플랫폼 개발을 완료했다고 11일 밝혔다.

SK키파운드리는 신규 고객사로부터 1200V SiC MOSFET 제품 개발을 수주해, SiC 화합물반도체 파운드리 비즈니스에 본격적으로 나서게 됐다.

SK키파운드리가 선보인 이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼은 450V~2300V의 폭넓은 전압 대역을 지원하며, 특히 고전압 동작 환경에서 높은 신뢰성과 안정성 데이터를 확보해, 탁월한 성능을 입증했다. 

(사진=SK키파운드리)

또한 공정 전반에 걸친 최적화와 핵심 공정 정밀 제어를 통해 수율을 90% 이상으로 향상시키고, 생산성을 제고했다. 뿐만 아니라, 고객 요구에 맞춰 전기적 특성과 스펙을 세밀하게 조정할 수 있는 차별화된 ‘고객 맞춤형 공정 대응 서비스’를 제공한다고 밝혔다.

SK키파운드리는 이번 공정 플랫폼 개발 완료와 함께 SiC 전문 설계 고객사로부터 1200V급 고전압 제품을 수주해 개발에 착수했다. 해당 공정은 고객사의 산업용 가전에 적용돼 열효율 관리에 핵심적인 역할을 할 예정이며, 시제품 평가와 신뢰성 검증을 거쳐 2027년 상반기 내 본격 양산에 돌입할 계획이다.

이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 SiC 전문기업 SK파워텍 인수 후, 양사 핵심 역량을 결집해 거둔 첫 결실로, 기술 개발 완료에 이어진 실제 고객 수주를 통해, 기술적 검증 단계를 넘어 즉시 상용화가 가능한 수준의 완성도와 경쟁력을 확보 했음을 보여준 것으로 평가된다.

이동재 SK키파운드리 대표는 “이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 글로벌 화합물 반도체 시장에서 독자적인 기술 리더십을 확보했음을 보여주는 성과”라며 “차별화된 높은 수율과 신뢰성의 공정을 바탕으로 국내외 고객사 요구에 부응하는 고전압 전력반도체 솔루션을 지속 확대해 나가겠다”고 밝혔다.