삼성전자 "올해 HBM 매출 전년比 3배 이상 목표"…출하량 100억Gb 넘을 듯

HBM4 등 고부가 메모리 시장 적기 대응 의지

삼성전자가 올해 메모리 반도체 공급난이 지속될 것으로 내다봤다. 1분기 D램과 낸드 모두 출하량 성장이 제한되면서 가격 상승이 불가피할 전망이다.

특히 HBM(고대역폭메모리)은 전 세계 AI 인프라 투자에 따라 수요를 따라가지 못하는 상황이다. 이에 삼성전자는 올해 HBM 매출을 전년 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세웠다. 용량 기준으로는 100억Gb(기가비트)를 넘길 전망이다.

29일 삼성전자는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 메모리 시장 전망에 대해 밝혔다.

삼성전자 평택캠퍼스 조감도(사진=삼성전자)

메모리 공급사들은 지난해 하반기 심화된 공급부족 현상에 따라, D램 및 낸드에서 빠르게 수익성을 개선하고 있다. 삼성전자의 경우 지난해 4분기 D램 ASP(평균판매가격)가 전분기 대비 40% 수준 상승한 것으로 나타났다. 낸드 역시 전분기 대비 20% 수준으로 상승했다.

올 1분기에도 메모리 빗그로스(출하량 증가율)는 제한적일 전망이다. D램과 낸드가 각각 전분기 대비 한자릿수 초반, 한자릿수 중반대에 그칠 것으로 보인다. 이에 메모리 가격은 추가적인 상승 압박을 받고 있다.

삼성전자는 "최근 AI에서 수요가 가파르게 증가하고 있어 메모리 공급 확대가 제한적이고, 범용 메모리와 HBM(고대역폭메모리) 전반적으로 당분간 이런 상황이 지속될 것"이라며 "이에 GPU 및 ASIC(주문형반도체) 업체와 하이퍼스케일러 등 대형 고객사와 다년 계약을 접수하고 있다"고 설명했다.

이에 삼성전자는 올해 최첨단 공정 기반의 D램 및 낸드 생산능력 확대에 속도를 낼 계획이다. 1c D램과 9세대 낸드를 중심으로 신규 및 전환 투자가 진행될 것으로 전망된다.

올해 HBM 사업 확대도 자신했다. 삼성전자는 "HBM4는 재설계 없이 작년 공급한 샘플로 순조롭게 고객 평가를 진행 중"이라며 "현재 퀄(품질테스트) 완료 단계에 진입했다"고 밝혔다.

회사는 이어 "정상적으로 HBM4 제품을 양산 투입해 생산 진행 중"이라며 "주요 고객사의 요청에 따라 2월부터 최상위품인 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 덧붙였다.

삼성전자가 제시한 올해 HBM 매출 목표는 전년 대비 3배 이상이다. 삼성전자의 지난해 HBM 총 공급량이 40억Gb대로 추산된다는 점을 고려하면, 올해 공급량은 100억Gb 이상을 공급할 수 있을 것으로 예상된다.

삼성전자는 "공급 확대 노력에도 불구하고 올해 HBM 수요는 당사 공급 규모를 넘어서고 있다"며 "주요 고객은 2027년 및 이후 물량에 대해서도 공급 협의를 조기 확정하길 희망한다"고 밝혔다.