삼성·SK, 메모리 설비투자 속도…첨단 D램·낸드 수요 대비

삼성전자, 평택·시안 설비 전환 중…SK하이닉스도 M15X 투자 일정 앞당겨

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들이 올 상반기부터 설비투자에 속도를 내고 있다. 수요가 점차 확대되고 있는 첨단 D램 및 낸드의 비중을 늘리기 위한 전략이다. 이에 인프라와 전공정 협력사들 역시 장비 도입 등 대응에 분주한 것으로 알려졌다.

18일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 올 상반기 최선단 메모리 생산능력 확대를 위한 설비투자를 진행하고 있다.

중국 시안 소재의 삼성전자 반도체 공장(사진=삼성전자)

삼성전자는 현재 국내외 주요 거점에서 전환 및 신규 투자에 나서고 있다. D램의 경우, 올 1분기부터 평택 제4캠퍼스에서 1c(6세대 10나노급) D램의 첫 양산라인을 구축하기 위한 설비 반입을 시작했다.

낸드는 전환 투자의 움직임이 뚜렷하다. 기존 6세대급의 구형 낸드를 8·9세대로 변경하는 작업이 주를 이루고 있다. 실제로 중국 시안 팹은 올 1분기 전환 투자를 위한 설비 발주가 시작된 것으로 파악됐다.

평택 제1캠퍼스(P1)에서도 8·9세대 낸드용 투자를 진행하는 방안을 추진하고 있다. 삼성전자는 지난해에도 P1에 8세대 낸드 투자를 진행했으나, 업황 등을 고려해 월 1만5천장 수준의 생산능력만 확보한 바 있다. 이르면 올 2분기께 당시 중단됐던 전환 투자가 다시 재개될 것으로 예상된다.

반도체 업계 관계자는 "그간 낸드 팹 가동률이 저조했고, 향후 있을 첨단 낸드 수요에 미리 대응하는 차원에서 삼성전자가 전환 투자를 계획 중"이라며 "시안 팹의 경우 전 세계적으로 공급망 불안정성이 높아지는 추세에 맞춰 투자에 더 속도를 내고 있다"고 설명했다.

SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X 건설 조감도(사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 청주 M15X 구축에 집중하고 있다. M15X는 최선단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)을 담당할 신규 생산기지로, 총 20조원이 투입된다. 가동 목표 시점은 이르면 올해 4분기다.

SK하이닉스가 예상보다 M15X에 대한 투자를 서두르는 분위기도 감지된다. 최근 클린룸을 비롯한 인프라 투자 일정을 당초 2분기 말에서 2분기 초로 앞당긴 것으로 파악됐다.

또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 주요 협력사를 대상으로 M15X 투자를 앞당기는 방안을 지속적으로 논의해 왔다"며 "내년 및 내후년으로 산정된 M15X향 설비투자 규모가 예상보다 늘어날 수 있다는 기대감이 나오고 있다"고 전했다.