美 규제 비껴간 中 CXMT, 내년 신규 팹 증설…삼성·SK에 위협

협력사와 설비도입 논의…삼성·SK 레거시 D램 수익성 악화 우려

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 미국의 새로운 대중(對中) 반도체 수출 규제 여파를 비껴갔다. 이에 따라 중국의 레거시 D램 생산능력은 지속적으로 확대될 것으로 보여, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게는 일부 악영향을 끼칠 것으로 분석된다.

실제로 CXMT는 내년에도 신규 D램 제조공장을 건설할 계획이다. 이를 위해 최근 협력사들과 구체적인 장비 공급 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다.

3일 업계에 따르면 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 팹을 마련해 D램 생산능력을 확대할 계획이다.

CXMT가 개발한 LPDDR5 제품 이미지(사진=CXMT 홈페이지 갈무리)

CXMT는 지난 2016년 설립된 중국 주요 D램 제조업체다. 중국 정부의 막대한 지원 하에 기술력과 생산능력을 빠르게 끌어올렸다는 평가를 받고 있다. 

CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 생산품목이 18~16나노미터(nm)급의 레거시 D램에 집중돼있기는 하나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게도 수익성 악화를 초래할 수 있을 정도의 규모로 분석된다.

CXMT의 적극적인 투자 기조는 내년에도 지속될 것으로 관측된다.

앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 내년 초부터 시행되는 이번 규제로 중국 내 반도체 및 제조장비 140여 곳이 미국의 강력한 수출규제를 받는 '우려거래자(Entity List)'에 포함됐다. 다만 CXMT는 업계의 예상과 달리 명단에서 제외됐다.

삼성증권은 관련 리포트를 통해 "미국이 원론적으로 CXMT의 저가 D램 기술이 국가 안보를 위협할 만한 수준은 아니라고 판단했을 것"이라며 "2~3년 뒤 1a(14나노급) D램이나 HBM(고대역폭메모리)를 생산하기 시작하면 규제 대상에 오를 수 있으나, 당장 내년에는 규제가 없을 가능성이 높아 (우리나라 등)메모리 경쟁사에 위협으로 느껴질 수 있다"고 설명했다.

실제로 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 D램 제조공장을 설립할 계획이다. 올 4분기 관련 협력사들과 구체적인 설비 도입 논의를 시작한 상황으로, 내년 상반기부터 본격적인 설비투자에 나설 것으로 파악됐다.

현재 업계가 추산하는 CXMT 신규 D램 공장의 생산능력은 월 최대 10만장이다. 기존 생산능력을 고려하면 중장기적으로 최대 월 30만장의 생산능력을 확보하게 되는 셈이다.

반도체 업계 관계자는 "CXMT가 올해에 이어 내년에도 D램 생산능력 확장에 적극적인 모습을 보이고 있다"며 "다만 삼성전자와 SK하이닉스는 1a D램 이상의 고부가 제품 전환에 집중하고 있어, 국내 메모리 시장에 미칠 악영향은 우려 대비 축소될 수 있다"고 말했다.