삼성전자, 최대 용량 12나노급 32Gb D램 개발…연내 양산

"1TB 모듈까지 구현 가능한 솔루션 확보"

삼성전자가 현존 최대 용량을 갖춘 12나노미터급 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 세계 최초로 개발했다고 1일 밝혔다. 해당 제품은 연내 양산될 예정이다.

지난 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 올해 32Gb D램을 개발함으로써 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 

또 삼성전자는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어 이번에 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다. 회사는 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다고 평가했다. 

12나노급 32Gb DDR5 D램(사진=삼성전자)

이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하게 됐다.

기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 공정 사용이 필수였다. TSV는 실리콘 관통 전극으로, 복수의 칩에 구멍을 뚫어 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 또한 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능하다. 

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 또한 AI시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다.